深华颖的碳化硅 (SiC) MOSFET 为数据中心电源基础设施带来变革性优势。它们能够以极低的开关损耗实现高频运行，从而将服务器电源 (PSU) 和不间断电源 (UPS) 的效率提升至 98% 以上。与传统的硅基解决方案相比，如此高的效率可直接降低高达 40% 的能量损耗，显著降低运营成本 (OPEX) 和电源使用效率 (PUE)。
数据中心电源
- 效率提高了98%
- 减少40%的能源损耗
- 功率密度提高了50%
行业领先企业提供的型号替换清单
深华颖致力于可持续发展，并努力最大限度地减少对环境的影响，积极支持清洁能源和绿色技术的发展。
框图
深华颖采用48V直流架构和先进的碳化硅（SiC）转换技术来提高功率密度。使用快速恢复器件可最大限度地减少停机时间并降低总体拥有成本。
好处
深华颖采用48V直流架构和先进的碳化硅（SiC）转换技术来提高功率密度。使用快速恢复器件可最大限度地减少停机时间并降低总体拥有成本。
- 节省物料清单成本并降低系统成本
- 每瓦特计算性能高
- 超高效率，更低运营成本
- 可用的硅、碳化硅或氮化镓解决方案
- 瞬态响应改善
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