IPM产品的技术优势
深华颖的 IPM 产品具有以下四个优点：先进的 IGBT 技术、集成多功能驱动 IC、高绝缘 IMS 基板和高质量的封装材料。
SYIM756-SFT ：IPM 解决方案
- 专有的7 通道 HVIC ，具有增强的抗噪能力。
- 用于逆变器/PFC PWM 应用的独立沟槽式 FS IGBT 。
- IMS基板可承受>6000V绝缘电压。
- 日本低 CTE 封装：导热系数为 1.7W/m·K ， Tg ≥180°C。
四大IPM技术
深华颖的 IPM 产品具有以下四个优点：先进的 IGBT 技术、集成多功能驱动 IC、高绝缘 IMS 基板和高质量的封装材料。
IGBT
- 沟槽条形光栅的设计
- 现场电路板和横向可变掺杂端子
- 现场切断技术
- 分别设计逆变器和PFC PWM频率的开关速度匹配。
驱动集成电路
- 集成自举电路
- 集成PFC驱动电路
- 集成PFC保护电路
- 检测端口抗干扰设计
- 与自主研发的IGBT匹配良好
IMS基板
- 高耐热性、高导热系数钝化层材料
- 阳极氧化过程
- 低EML母线设计
- 抗干扰接地线的设计
- 抗分层技术
EMC
- 不同形状和粒径的氧化铝填料
- 高Tg塑料密封材料
- 线性热匹配
- 基板和芯片材料的膨胀系数
- 提高流动性和降低粘度的技术
芯片的技术优势
深华颖的IGBT芯片采用第六代沟槽场工艺自主设计，已开发出1200V（75A-300A）芯片及相应的FRD系列产品，以及1700V（150A/200A）系列产品。这些产品的性能处于行业领先水平，其中1700V系列产品更是达到了国内领先水平。
深华颖的核心优势：
- 芯片流片在世界第三大晶圆厂（华虹集团）进行。
- 芯片采用 SHYSEMI 专有的第六代沟槽场技术。
- 在芯片尺寸不变的情况下，可将工作电压从1200V 提高到 1700V 。
- Vcesat系数明显低于国内同类产品。
- 提供晶圆级CP测试数据。
- 支持客户定制芯片开发。
