• IGBT 分立器件

  • 为什么选择 SHYSEMI 的 IGBT 分立器件？

    自由轮换二极管（FRD）在 IGBT 旁边是必不可少的，用于导通反应负载电流，缩短电容充电时间，并夹紧因瞬时负载反转而导致的电压尖峰。IGBT 分立器件模块通过共封装一个 IGBT 芯片和一个快速恢复二极管（FRD）芯片在一个共同的铜基板上来解决这个问题。为了跟上现代电源设备不断提高的开关速度，SHYSEMI 特别将其 IGBT 与具有快速导通、快速关断和优化恢复特性的 FRD 进行配对——从而实现较短的反向恢复时间（trr）、较低的反向恢复电流（IRRM）和柔和的恢复特性。

  • 封装列表

    SHYSEMI的IGBT分立器件TO-220封装

    TO-220

    主要封装IGBT和二极管高压MOSFET，COOLMOS

    SHYSEMI的IGBT分立器件TO-220F封装

    TO-220F

    主要封装IGBT和二极管高压MOSFET，COOLMOS

    SHYSEMI的IGBT分立器件TO-247封装

    TO-247

    主要封装IGBT和快速恢复二极管SJMOSFET

    SHYSEMI的IGBT分立器件TO-247-3Plus封装

    TO-247-3Plus

    主要封装IGBT，SiCMOS，COOLMOS

  • TO-220 应用：

    集成整流、制动、驱动和保护，这款IGBT分立器件采用先进的 CS Trench技术 和优化的晶圆配置。通过完美平衡饱和电压降和开关损耗，它满足了客户对高效率的要求。SHYSEMI还通过严格的 三层验证 和筛选系统进一步确保安全、稳定和可靠。

    • UPS
    • PFC
    • 电机控制

    SYD1565SLP

    • 封装：TO-220
    • 电压(V)：650
    • 电流(A)：15
    • VCE(SAT)@typ.Tj=25°C: 1.8
    • VGEth@typ.Tj=25°C: 6

    SYD2065SLA

    • 封装：TO-220
    • 电压(V)：650
    • 电流(A)：20
    • VCE(SAT)@typ.Tj=25°C: 1.7
    • VGEth@typ.Tj=25°C: 5.5

    SYD3065SLA

    • 封装：TO-220
    • 电压(V)： 650
    • 电流(A)： 30
    • VCE(SAT)@typ.Tj=25°C： 1.9
    • VGEth@typ.Tj=25°C： 4

  • 特点：

    • 饱和电压降：正温度系数
    • 易于在并联电路中使用
    • 低开关损耗
    • 内置快速恢复二极管
    • 高可靠性和热稳定性
    • 良好的参数一致性
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  • TO-220F 应用:

    TO-220 是电力半导体行业中一种典型且广泛使用的封装。SHYSEMI 的 TO-220 产品体现了这一传统，提供多功能且用户友好的解决方案，具有无与伦比的性价比。由于其大规模生产和极其成熟的技术，这种封装在几乎每个管理功率从几瓦到数百瓦的电子设备中都是不可或缺的。

    • UPS
    • PFC
    • 电机控制

  • SYD1565SLA

    • 封装：TO-220F
    • 电压(V)：650
    • 电流(A)：15
    • VCE(SAT)@typ.Tj=25°C：1.8
    • VGEth@typ.Tj=25°C：6

    SYD2065SLB

    • 封装：TO-220F
    • 电压(V)：650
    • 电流(A)：20
    • VCE(SAT)@typ.Tj=25°C：1.7
    • VGEth@typ.Tj=25°C：5.5

    SYD3065SLB

    • 封装：TO-220F
    • 电压(V)：650
    • 电流(A)：30
    • VCE(SAT)@typ.Tj=25°C：1.9
    • VGEth@typ.Tj=25°C：4.0

  • 特点：

    • 饱和电压降：正温度系数
    • 易于在并联电路中使用
    • 低开关损耗
    • 内置快恢复二极管
    • 高可靠性和热稳定性
    • 良好的参数一致性
    • 最小短路保护时间 5µs
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  • TO-247 应用：

    TO-247 本质上是 TO-220 封装的升级版，旨在支持显著更高的功率和电流额定值。它采用更厚的引脚和更大的内部连接（如键合线或铜夹），使其能够承载比 TO-220 高几倍的电流。通过利用单螺丝安装机制，它可以稳固地固定在一个较大的散热器上，成为空气冷却和基础液体冷却热解决方案的首选。

    • 太阳能转换器
    • 不间断电源
    • 焊接转换器
    • 中高频开关转换器

  • SYD2065SLW

    • 封装：TO-247-3L
    • 电压(V)：650
    • 电流(A)：20
    • VCE(SAT)@typ.Tj=25°C：1.7
    • VGEth@typ.Tj=25°C：5.5

    SYD3065SLW

    • 封装：TO-247-3L
    • 电压(V)：650
    • 电流(A)：30
    • VCE(SAT)@typ.Tj=25°C：1.9
    • VGEth@typ.Tj=25°C：4

    SYD040Q065AY1S3

    • 封装：TO-247-3L
    • 电压(V)：650
    • 电流(A)：400
    • VCE(SAT)@typ.Tj=25°C：1.9
    • VGEth@typ.Tj=25°C：4.5

    SYD050Q065AY1S3

    • 封装：TO-247-3L
    • 电压(V)：650
    • 电流(A)：50
    • VCE(SAT)@typ.Tj=25°C：1.8
    • VGEth@typ.Tj=25°C：4.5

    SYD060Q065AY1S3

    • 封装：TO-247-3L
    • 电压(V)：650
    • 电流(A)：60
    • VCE(SAT)@typ.Tj=25°C：1.6
    • VGEth@typ.Tj=25°C：4.5

    SYD075H065CX1S3

    • 封装：TO-247-3L
    • 电压(V)：650
    • 电流(A)：75
    • VCE(SAT)@typ.Tj=25°C：1.65
    • VGEth@typ.Tj=25°C：4.5

    SYD15H120ADB

    • 封装：TO-247-3L
    • 电压(V)：1200
    • 电流(A)：15
    • VCE(SAT)@typ.Tj=25°C：1.85
    • VGEth@typ.Tj=25°C：5.9

    SYD25H120ADB

    • 封装：TO-247-3L
    • 电压(V): 1200
    • 电流(A): 25
    • VCE(SAT)@typ.Tj=25°C: 1.8
    • VGEth@typ.Tj=25°C: 6

    SYD40H120ADB

    • 封装：TO-247-3L
    • 电压(V): 1200
    • 电流(A): 40
    • VCE(SAT)@typ.Tj=25°C: 1.6
    • VGEth@typ.Tj=25°C: 5.5

    SYD3N020WRH

    • 封装：TO-247-3L
    • 电压(V): 1350
    • 电流(A): 20
    • VCE(SAT)@typ.Tj=25°C: 1.66
    • VGEth@typ.Tj=25°C: 6.1

    SYD40N120LN

    • 封装：TO-247-3
    • 电压(V): 1200
    • 电流(A): 40
    • VCE(SAT)@typ.Tj=25°C: 1.9
    • VGEth@typ.Tj=25°C: 5

    SYD40N170TMA1

    • 封装：TO-247
    • 电压(V): 1700
    • 电流(A): 40
    • VCE(SAT)@typ.Tj=25°C: 1.7
    • VGEth@typ.Tj=25°C: 5.7

  • 特点：

    • 低 VCE (sat) 沟槽 IGBT 技术
    • 低开关损耗
    • 低寄生电感
    • 最大结温 175℃
    • 正 VCE(sat) 温度系数
    • 无铅，符合 RoHS 要求
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  • TO-247 Plus 应用:

    TO-247 Plus（也称为 TO-247-4L 或 TO-247AD）是专门为解决标准 TO-247 封装的高频开关限制而优化的变体。SHYSEMI 的实现保持了强大的电力处理能力，同时提供了更敏捷和精确的控制。随着 SiC 和 GaN 技术的普及，TO-247 Plus 已成为针对峰值效率设计的不可或缺的封装。因此，对于新的高频开关设计，它现在几乎成为了必选项。

    • 不间断电源
    • 太阳能逆变器
    • 逆变焊接机
    • PFC

  • SYD75H120FNB

    • 封装：TO-247 Plus
    • 电压(V)：1200
    • 电流(A)：75
    • VCE(SAT)@typ.Tj=25°C：1.85
    • VGEth@typ.Tj=25°C：5.7

  • 特点：

    • 低 VCE (sat) 沟槽 IGBT 技术
    • 低开关损耗
    • 10μs 短路 SOA
    • 平方 RBSOA
    • 正 VCE(sat) 温度系数
    • 紧密的参数分布
    • 低热阻
    • 非常快速的恢复反向二极管
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