• IGBT单管

  • 为什么选择深华颖的IGBT单管？

    并联的续流二极管 (FRD) 对于 IGBT 至关重要，它能够传导无功负载电流、缩短电容充电时间并钳位瞬时负载反转引起的电压尖峰。IGBT分立器件模块通过将IGBT 芯片和快速恢复二极管 (FRD) 芯片封装在同一铜基板上来解决这一问题。为了跟上现代功率器件日益增长的开关速度，深华颖特别为其 IGBT 搭配具有快速导通、快速关断和优化恢复特性的 FRD，从而实现更短的反向恢复时间 (trr)、更低的反向恢复电流 (IRRM) 和更柔和的恢复特性。

  • 封装列表

    SHYSEMI 的 IGBT 分立器件 TO-220 封装

    TO-220

    主封装IGBT和二极管高压MOSFET，COOLMOS

    SHYSEMI 的 IGBT 分立器件采用 TO-220F 封装

    TO-220F

    主封装IGBT和二极管高压MOSFET，COOLMOS

    SHYSEMI 的 IGBT 分立器件 TO-247 封装

    TO-247

    主要封装包括IGBT和快速恢复二极管SJMOSFET

    SHYSEMI 的 IGBT 分立器件采用 TO-247-3Plus 封装

    TO-247-3Plus

    主要封装：IGBT、SiCMOS、COOLMOS

  • TO-220 应用领域：

    这款IGBT分立器件集成了整流、制动、驱动和保护功能，采用先进的CS沟槽技术和优化的晶圆结构。通过完美平衡饱和压降和开关损耗，它满足了客户的高效率需求。此外，深华颖还通过严格的三层验证和筛选体系，进一步确保了产品的安全性、稳定性和可靠性。

    • UPS
    • 聚碳酸酯
    • 电机控制

    SYD1565SLP

    • 封装： TO-220
    • 电压(V): 650
    • 电流(A)：15
    • V CE(SAT) @typ.Tj=25°C: 1.8
    • V GEth @typ.Tj=25°C: 6

    SYD2065SLA

    • 封装： TO-220
    • 电压(V): 650
    • 电流(A)：20
    • V CE(SAT) @typ.Tj=25°C: 1.7
    • V GEth @typ.Tj=25°C: 5.5

    SYD3065SLA

    • 封装： TO-220
    • 电压(V): 650
    • 电流(A)：30
    • V CE(SAT) @typ.Tj=25°C: 1.9
    • V GEth @typ.Tj=25°C: 4

  • 特征：

    • 饱和电压降：正温度系数
    • 易于在并联电路中使用
    • 低开关损耗
    • 内置快速恢复二极管
    • 高可靠性和热稳定性
    • 良好的参数一致性
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  • TO-220F应用：

    TO-220封装是功率半导体行业中经典且应用广泛的封装。深华颖的TO-220产品系列传承了这一传统，提供功能多样、易于使用的解决方案，并具有无与伦比的成本效益。凭借其庞大的生产规模和极其成熟的技术，这种封装几乎是所有功率从几瓦到几百瓦的电子设备不可或缺的一部分。

    • UPS
    • 聚碳酸酯
    • 电机控制

  • SYD1565SLA

    • 封装： TO-220F
    • 电压(V): 650
    • 电流(A)：15
    • V CE(SAT) @typ.Tj=25°C: 1.8
    • V GEth @typ.Tj=25°C: 6

    SYD2065SLB

    • 封装： TO-220F
    • 电压(V): 650
    • 电流(A)：20
    • V CE(SAT) @typ.Tj=25°C: 1.7
    • V GEth @typ.Tj=25°C: 5.5

    SYD3065SLB

    • 封装： TO-220F
    • 电压(V): 650
    • 电流(A)：30
    • V CE(SAT) @typ.Tj=25°C: 1.9
    • V GEth @typ.Tj=25°C: 4.0

  • 特征：

    • 饱和电压降：正温度系数
    • 易于在并联电路中使用
    • 低开关损耗
    • 内置快速恢复二极管
    • 高可靠性和热稳定性
    • 良好的参数一致性
    • 最小短路保护时间5µs
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  • TO-247应用：

    TO-247 封装本质上是 TO-220 封装的升级版，旨在支持更高的功率和电流额定值。它采用了更粗的引脚和更大的内部互连（键合线或铜夹），使其能够承载比 TO-220 高出数倍的电流。通过单螺钉安装机制，它可以牢固地连接到大型散热器上，因此成为风冷和基础液冷散热解决方案的首选。

    • 太阳能转换器
    • 不间断电源
    • 焊接转换器
    • 中高端开关变频器

  • SYD2065SLW

    • 封装： TO-247-3L
    • 电压(V): 650
    • 电流(A)：20
    • V CE(SAT) @typ.Tj=25°C: 1.7
    • V GEth @typ.Tj=25°C: 5.5

    SYD3065SLW

    • 封装： TO-247-3L
    • 电压(V): 650
    • 电流(A)：30
    • V CE(SAT) @typ.Tj=25°C: 1.9
    • V GEth @typ.Tj=25°C: 4

    SYD4065RH1

    • 封装： TO-247
    • 电压(V): 650
    • 电流(A)：40
    • V CE(SAT) @typ.Tj=25°C: 1.55
    • V GEth @typ.Tj=25°C: 4.2

    SYD050Q065AY1S3

    • 封装： TO-247-3L
    • 电压(V): 650
    • 电流(A)：50
    • V CE(SAT) @typ.Tj=25°C: 1.8
    • V GEth @typ.Tj=25°C: 4.5

    SYD060Q065AY1S3

    • 封装： TO-247-3L
    • 电压(V): 650
    • 电流(A)：60
    • V CE(SAT) @typ.Tj=25°C: 1.6
    • V GEth @typ.Tj=25°C: 4.5

    SYD075H065CX1S3

    • 封装： TO-247-3L
    • 电压(V): 650
    • 电流(A)：75
    • V CE(SAT) @typ.Tj=25°C: 1.65
    • V GEth @typ.Tj=25°C: 4.5

    SYD15H120ADB

    • 封装： TO-247-3L
    • 电压(V): 1200
    • 电流(A)：15
    • V CE(SAT) @typ.Tj=25°C: 1.85
    • V GEth @typ.Tj=25°C: 5.9

    SYD25H120ADB

    • 封装： TO-247-3L
    • 电压(V): 1200
    • 电流(A)：25
    • V CE(SAT) @typ.Tj=25°C: 1.8
    • V GEth @typ.Tj=25°C: 6

    SYD40H120ADB

    • 封装： TO-247-3L
    • 电压(V): 1200
    • 电流(A)：40
    • V CE(SAT) @typ.Tj=25°C: 1.6
    • V GEth @typ.Tj=25°C: 5.5

    SYD3N020WRH

    • 封装： TO-247-3L
    • 电压(V): 1350
    • 电流(A)：20
    • V CE(SAT) @typ.Tj=25°C: 1.66
    • V GEth @typ.Tj=25°C: 6.1

    SYD40N120LN

    • 封装： TO-247-3
    • 电压(V): 1200
    • 电流(A)：40
    • V CE(SAT) @typ.Tj=25°C: 1.9
    • V GEth @typ.Tj=25°C: 5

    SYD40N170TMA1

    • 封装： TO-247
    • 电压(V): 1700
    • 电流(A)：40
    • V CE(SAT) @typ.Tj=25°C: 1.7
    • V GEth @typ.Tj=25°C: 5.7

  • 特征：

    • 低VCE（饱和） 沟槽式IGBT技术
    • 低开关损耗
    • 低杂散电感
    • 最高结温175℃
    • 正VCE(sat)温度系数
    • 无铅，符合RoHS要求
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  • TO-247 Plus应用：

    TO-247 Plus（也称为 TO-247-4L 或 TO-247AD）是专为解决标准 TO-247 封装的高频开关限制而设计的优化版本。深华颖的实现方案在保持强大功率处理能力的同时，提供了更灵活、更精确的控制。随着 SiC 和 GaN 技术的普及，TO-247 Plus 已成为追求最高效率设计中不可或缺的封装。因此，对于新型高频开关设计而言，它几乎是必备之选。

    • 不间断电源
    • 太阳能逆变器
    • 逆变式焊接机
    • 聚碳酸酯

  • SYD75H120FNB

    • 封装： TO-247 Plus
    • 电压(V): 1200
    • 电流(A)：75
    • V CE(SAT) @typ.Tj=25°C: 1.85
    • V GEth @typ.Tj=25°C: 5.7

  • 特征：

    • 低VCE（饱和）沟槽式IGBT技术
    • 低开关损耗
    • 10μs短路SOA
    • 方形 RBSOA
    • 正VCE(sat)温度系数
    • 紧致参数分布
    • 低热阻
    • 超快速恢复反并联二极管
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