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样品申请
我们为您的产品设计和制造半导体芯片、分立功率器件和功率模块。
  • IGBT芯片

    一些应用
  • 为什么选择深华颖的IGBT芯片?

    深华颖利用其专有的第六代沟槽场截止型IGBT 芯片技术,在其 1200V 至 1700V 产品系列中实现了业界领先的性能。值得一提的是,其 1700V 系列产品处于国内技术前沿,与国内其他解决方案相比,具有更高的 Vce(sat) 系数和更强的能效。

    公司通过与华虹集团的战略合作,利用国内领先的晶圆厂进行生产,并实施严格的质量控制体系,确保产品卓越的可靠性。其关键技术优势在于能够在芯片尺寸不变的情况下,将额定电压从1200V提升至1700V ,从而为客户提供更大的设计灵活性和向下兼容性。

    深华颖提供全面的封装和测试解决方案,并支持定制化芯片开发。此外,我们还提供晶圆级 CP(电路探针)测试数据,从而加速客户的产品验证和系统集成流程。

  • 芯片列表

    Section image

    NPT

    非穿通式IGBT:

    低成本

    低频

    高可靠性应用

    了解更多
    Section image

    TR/FS

    战壕现场停止:

    更高的系统效率

    更小的设备尺寸

    更强的过载和并行处理能力

    总体成本降低

    了解更多
  • NPT芯片

    非穿通 (NPT) IGBT 结构具有固有的正温度系数,这意味着其导通压降 Vce(sat) 会随温度升高而升高。这一特性有利于并联芯片间的自动电流分配,从而防止热失控并提高系统可靠性。此外,NPT 器件的制造工艺相对简单且成本低廉。尽管如此,它们仍保持软关断特性,这有助于其具备强大的短路耐受能力。

    • 焊接机
    • 切割机
    • 感应加热
    • UPS电源

    SYC20PN65WK

    • 尺寸(英寸): 6
    • 类型:标准
    • 电压(V): 650
    • 电流(A):20
    • 有效芯片数量:709
    规格书

    SYC30PN65WK

    • 尺寸(英寸): 6
    • 类型:标准
    • 电压(V): 650
    • 电流(A):30
    • 有效芯片数量:525
    规格书

    SYC50PN65WK

    • 尺寸(英寸): 6
    • 类型:标准
    • 电压(V): 650
    • 电流(A):50
    • 有效芯片数量:327
    规格书

    SYC75PN65WK1

    • 尺寸(英寸): 6
    • 类型:标准
    • 电压(V): 650
    • 电流(A):75
    • 有效芯片数量:231
    规格书

    SYC100PN65WK

    • 尺寸(英寸): 6
    • 类型:标准
    • 电压(V): 650
    • 电流(A):75
    • 有效芯片数量:168
    规格书

    SYC50PN120WHF

    • 尺寸(英寸): 6
    • 类型:超高速
    • 电压(V): 1200
    • 电流(A):50
    • 有效芯片数量:154
    规格书

    SYC50PN120WU

    • 尺寸(英寸): 6
    • 类型:快速
    • 电压(V): 1200
    • 电流(A):50
    • 有效芯片数量:157
    规格书

    SYC75PN120WHF

    • 尺寸(英寸): 6
    • 类型:超高速
    • 电压(V): 1200
    • 电流(A):75
    • 有效芯片数量:154
    规格书

    SYC75PN120WF

    • 尺寸(英寸): 6
    • 类型:快速
    • 电压(V): 1200
    • 电流(A):75
    • 有效芯片数量:82
    规格书

    SYC100PN120WHF

    • 尺寸(英寸): 6
    • 类型:快速
    • 电压(V): 1200
    • 电流(A): 100
    • 有效芯片数量:69
    规格书

    SYC100PN120WHF1

    • 尺寸(英寸): 6
    • 类型:快速
    • 电压(V): 1200
    • 电流(A): 100
    • 有效芯片数量:69
    规格书
  • 特征:

    • 非穿透式(NPT)技术
    • 低 Vce(卫星)
    • 10µs短路能力
    • 方形 RBSOA
    • 正Vce(sat)温度系数
  • TR/FS

    沟槽场阻断(TFS)IGBT技术是目前中高压应用的主流解决方案。它采用薄硅片和集成场阻断层,有效缩短关断期间的尾电流持续时间并降低其幅值,从而显著降低关断损耗。损耗的降低使得器件能够在更高的开关频率下工作,而不会超出热极限。

    此外,通过优化载流子设计和增强开关动态特性,TFS IGBT 在高电流和高电压条件下可实现更安全的关断。这拓宽了反向偏置安全工作区 (RBSOA),从而显著提高了系统在故障或异常运行情况下的鲁棒性。

    • 电机驱动器用逆变器
    • 伺服驱动器
    • 高功率转换器
    • 风力涡轮机
    • 感应加热/高频功率

  • SYC100P120C4WK

    • 尺寸(英寸): 12
    • 类型:标准
    • 电压(V): 1200
    • 电流(A): 100
    • 有效芯片数量:560
    规格书

    SYC150P120C4WF

    • 尺寸(英寸): 12
    • 类型:快速
    • 电压(V): 1200
    • 电流(A):150
    • 有效芯片数量:410
    规格书

    SYC150P120C4WK

    • 尺寸(英寸): 12
    • 类型:标准
    • 电压(V): 1200
    • 电流(A):150
    • 有效芯片数量:410
    规格书

    SYC100P170C4WK

    • 尺寸(英寸): 12
    • 类型:标准
    • 电压(V): 1700
    • 电流(A): 100
    • 有效芯片数量:560
    规格书

    SYC150P170H4WK

    • 尺寸(英寸): 8
    • 类型:标准
    • 电压(V): 1700
    • 电流(A):150
    • 有效芯片数量:158
    规格书

    SYC200P170H4WK

    • 尺寸(英寸): 8
    • 类型:标准
    • 电压(V): 1700
    • 电流(A):200
    • 有效芯片数量:112
    规格书

    SYC50P120H4WK

    • 尺寸(英寸): 8
    • 类型:标准
    • 电压(V): 1200
    • 电流(A):50
    • 有效芯片数量:562
    规格书

    SYC50P120H4WF

    • 尺寸(英寸): 8
    • 类型:标准
    • 电压(V): 1200
    • 电流(A):50
    • 有效芯片数量:562
    规格书

    SYC75P120G4WK1

    • 尺寸(英寸): 8
    • 类型:标准
    • 电压(V): 1200
    • 电流(A):75
    • 有效芯片数量:336
    规格书

    SYC75P120G4WF1

    • 尺寸(英寸): 8
    • 类型:快速
    • 电压(V): 1200
    • 电流(A):75
    • 有效芯片数量:342
    规格书

    SYC100P120H4WHF

    • 尺寸(英寸): 8
    • 类型:快速
    • 电压(V): 1200
    • 电流(A): 100
    • 有效芯片数量:227
    规格书

    SYC150P120C4PF

    • 尺寸(英寸): 12
    • 类型:快速
    • 电压(V): 1200
    • 电流(A):150
    • 有效芯片数量:410
    规格书

    SYC50P170H4WK

    • 尺寸(英寸): 8
    • 类型:标准
    • 电压(V): 1700
    • 电流(A):50
    • 有效芯片数量:600
    规格书

    SYC75P170G4WK2

    • 尺寸(英寸): 8
    • 类型:标准
    • 电压(V): 1700
    • 电流(A):75
    • 有效芯片数量:316
    规格书
  • 特征:

    • 沟槽式FS技术
    • 低 Vce(sat)
    • 10µs短路能力
    • 平行适用
    • 正Vce(sat)温度系数
  • 如需了解更多信息或获取产品报价,请联系我们。

    我们将尽快与您联系。

    我们尊重客户的隐私,并确保所有客户数据的安全。

产品

IPM模块

IGBT模块

IGBT单管

IGBT芯片

SiC MOS

SiC模块

FRD / MUR

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应用

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