为什么选择深华颖的中/高功率F系列IGBT模块？
深华颖的中高功率F系列模块提供34mm和62mm两种封装尺寸，这不仅体现了制造商的设计能力，也体现了对高品质原材料的要求。IGBT模块具有低导通损耗、高开关频率和优异的散热性能，即使在恶劣环境下也能稳定运行。
作为深华颖的旗舰产品线， 62毫米系列代表了中国领先的品质，测试数据与德国和日本顶级产品相当。
34毫米应用：
34mm IGBT 模块标准最初由英飞凌、富士电机和三菱等行业领先企业制定。如今，深华颖在该技术领域取得了重大突破。通过采用最新的微图案沟槽场阻芯片技术，该公司生产出更薄的芯片，从而显著降低了导通损耗和关断损耗 (Eon/Eoff)。此外，通过使用高性能导热硅脂甚至烧结连接将芯片直接连接到基板上，热阻也得到了极大的降低。
- 焊接机、切割机
- 电镀电源、感应加热
- 开关电源、UPS
SYMF100HF120T1VH
- 封装： 34毫米
- 电压(V): 1200
- 电流(A): 100
- V CE(SAT) @typ.Tj=25°C : 5
- V GEth @typ.Tj=25°C: 3.3
SYMT150HF120T1VH-SF
- 封装： 34毫米
- 电压(V): 1200
- 电流(A)：150
- V CE(SAT) @typ.Tj=25°C : 5.7
- V GEth @typ.Tj=25°C: 1.7
34毫米特点：
- 短路额定值>10μs
- 非穿透式（NPT）技术
- 低饱和电压
- 低开关损耗
- 100% RBSOA 测试 (2×Ic)
- 低杂散电感
- 无铅，符合RoHS要求
62毫米应用：
62mm IGBT 模块代表了一种高度成熟且被广泛采用的高功率应用标准。其设计集成了众多先进的 IGBT 和二极管芯片，从而实现了极高的电流额定值。这些芯片产生的高热量通过高性能导热界面材料和烧结技术得到有效散热。该模块专为严苛环境下（例如矿山、钢铁厂和海上风电场）的 24/7 全天候工业运行而设计，具有显著的系统级优势。具体而言，与并联多个较小模块相比，单个 62mm 模块简化了栅极驱动电路、冷却系统、母线连接和保护电路的设计，从而降低了整体系统集成成本。
- 焊接
- 混合动力汽车逆变器
- 工业电机驱动器
- UPS
SYMT100HF170T1VH
- 封装： 62毫米
- 电压(V): 1700
- 电流(A): 100
- V CE(SAT) @typ.Tj=25°C : 6
- V GEth @typ.Tj=25°C: 2.4
SYMT200HF120T2VH-M
- 封装： 62毫米
- 电压(V): 1200
- 电流(A)：200
- V CE(SAT) @typ.Tj=25°C : 5.7
- V GEth @typ.Tj=25°C: 1.8
SYMT300HF120T2VH-M
- 封装： 62毫米
- 电压(V): 1200
- 电流(A)：300
- V CE(SAT) @typ.Tj=25°C : 5.9
- V GEth @typ.Tj=25°C: 1.9
SYMT150HF170T2VH
- 封装： 62毫米
- 电压(V): 1700
- 电流(A)：150
- V CE(SAT) @typ.Tj=25°C : 6.0
- V GEth @typ.Tj=25°C: 2.3
SYMT200HF170T2VH
- 封装： 62毫米
- 电压(V): 1700
- 电流(A)：200
- V CE(SAT) @typ.Tj=25°C : 6.0
- V GEth @typ.Tj=25°C: 2.3
SYMT150CU120T2VH
- 封装： 62毫米
- 电压(V): 1200
- 电流(A)：150
- V CE(SAT) @typ.Tj=25°C : 5.9
- V GEth @typ.Tj=25°C: 1.7
SYMT200CU120T2VH
- 封装： 62毫米
- 电压(V): 1200
- 电流(A)：300
- V CE(SAT) @typ.Tj=25°C : 6
- V GEth @typ.Tj=25°C: 3.15
62毫米特点：
- 短路额定值>10μs
- 非穿透式（NPT）技术
- 低饱和电压
- 低开关损耗
- 100% RBSOA 测试 (2×Ic)
- 低杂散电感
- 无铅，符合RoHS要求
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