• IGBT模块

    中功率 E 系列

  • 为什么选择深华颖的中功率E系列IGBT模块？

    作为深华颖的旗舰产品之一， Econo 系列代表了国内领先的品质， 其性能可与德国和日本的顶级产品相媲美。深华颖的中功率E系列模块分为三种类型：Econo2 、 EconoDUAL和Econo3 。

    它们采用低热阻氧化铝绝缘基板和温度保护热敏电阻。信号端子镀银，便于焊接；基板镀镍，防止氧化，提高长期存储可靠性。

  • 封装列表

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    Econo2

    Econo 系列的核心价值在于坚持“足够好”的设计理念，为大规模工业应用提供耐用且经济高效的解决方案。

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    EconoDUAL

    深华颖的 EconoDUAL 套件不仅提供标准半桥模块，还提供特殊拓扑结构，例如七单元/降压模块。

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    Econo3

    通过采用适中的芯片技术，实现了导通损耗和关断损耗的平衡。系统设计成熟，无需额外的监控或保护功能。

  • Econo2 应用领域：

    专为对成本和性能要求较高的应用而设计的Econo系列IGBT模块（来自英飞凌、富士和三菱等品牌）旨在提供最佳性价比。其主要卖点在于实现卓越的成本效益，同时保持可靠的运行。为确保安全可靠的性能，必须对实际应用条件进行全面评估，包括电压/电流应力、开关频率和散热能力。

    • 工业逆变器
    • 伺服应用

    SYMTS25PI120T5H

    • 封装：Econo2
    • 电压(V): 1200
    • 电流(A)：25
    • V CE(SAT) @typ.Tj=25°C: 1.7
    • V GEth @typ.Tj=25°C: 5.7

    SYMTS40PI120T5H

    • 封装：Econo2
    • 电压(V): 1200
    • 电流(A)：40
    • V CE(SAT) @typ.Tj=25°C: 1.9
    • V GEth @typ.Tj=25°C: 5.8

    SYMT50PI120T6H-M

    • 封装：Econo2
    • 电压(V): 1200
    • 电流(A)：50
    • V CE(SAT) @typ.Tj=25°C: 1.7
    • V GEth @typ.Tj=25°C: 5.6

  • 特征：

    • 现场停止沟槽闸门IGBT
    • 短路额定值>10μs
    • 低饱和电压
    • 低开关损耗
    • 100% RBSOA 测试 (2×Ic)
    • 低杂散电感
    • 无铅，符合RoHS要求
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  • Econo DUAL应用：

    由深华颖开发的EconoDUAL软件包，凭借有效的平台化和标准化，已证明其具有长期的市场竞争力。它在设计简洁性、供应链稳定性以及整体成本效益方面都拥有无可比拟的优势。因此，对于绝大多数传统工业驱动应用而言，它在性能、可靠性和成本方面仍然是最均衡的解决方案之一。

    • 混合动力电动汽车
    • 汽车应用
    • 商用农业车辆
    • 电机驱动器

  • SYMT300HF120T9H-M

    • 封装：Econo DUAL
    • 电压(V): 1200
    • 电流(A)：300
    • V CE(SAT) @typ.Tj=25°C: 1.7
    • V GEth @typ.Tj=25°C: 5.6

    SYMT450HF120T9H-M

    • 封装：Econo DUAL
    • 电压(V): 1200
    • 电流(A)：450
    • V CE(SAT) @typ.Tj=25°C: 1.75
    • V GEth @typ.Tj=25°C: 5.5

    SYMT600HF120T9H-M

    • 封装：Econo DUAL
    • 电压(V): 1200
    • 电流(A)：600
    • V CE(SAT) @typ.Tj=25°C: 1.7
    • V GEth @typ.Tj=25°C: 5.5

  • 特征：

    • 现场停止沟槽闸门IGBT
    • 短路额定值>10μs
    • 低饱和电压
    • 低开关损耗
    • 100% RBSOA 测试 (2×Ic)
    • 低杂散电感
    • 无铅，符合RoHS要求
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  • Econo3应用：

    Econo方案通常被用作早期复杂IGBT或晶闸管方案的替代方案，其内部结构更为简化（例如采用单二极管配置和标准封装）。尽管它是一种经济的选择，但仍需经过严格的工业级可靠性测试（例如温度循环和功率循环），并且大多采用第三代或第四代IGBT芯片技术来平衡功率损耗和成本，同时控制故障率。

    • 工业逆变器
    • 伺服应用

  • SYMT50PI120T6H-T4M

    • 封装：Econo3
    • 电压(V): 1200
    • 电流(A)：50
    • V CE(SAT) @typ.Tj=25°C: 1.9
    • V GEth @typ.Tj=25°C: 5.6

    SYMT75PI120T6H-M

    • 封装：Econo3
    • 电压(V): 1200
    • 电流(A)：75
    • V CE(SAT) @typ.Tj=25°C: 1.8
    • V GEth @typ.Tj=25°C: 5.6

    SYMT100PI120T6H-M

    • 封装：Econo3
    • 电压(V): 1200
    • 电流(A): 100
    • V CE(SAT) @typ.Tj=25°C: 1.9
    • V GEth @typ.Tj=25°C: 5.5

    SYMT150PI120T6H-T4M

    • 封装：Econo3
    • 电压(V): 1200
    • 电流(A)：150
    • V CE(SAT) @typ.Tj=25°C: 1.7
    • V GEth @typ.Tj=25°C: 5.9

    SYMT200FF120T6H-M

    • 封装：Econo3
    • 电压(V): 1200
    • 电流(A)：200
    • V CE(SAT) @typ.Tj=25°C: 1.7
    • V GEth @typ.Tj=25°C: 5.6

  • Econo3特点：

    • 短路额定值>10μs
    • 非穿透式（NPT）技术
    • 低饱和电压
    • 低开关损耗
    • 100% RBSOA 测试 (2×Ic)
    • 低杂散电感
    • 无铅，符合RoHS要求
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