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![[SYC100P170C4WK] 1700V 100A,沟槽型场截止IGBT芯片,低Vce(sat),10μs短路,适用于伺服驱动,以及高功率电机驱动](https://custom-images.strikinglycdn.com/res/hrscywv4p/image/upload/c_limit%2Cfl_lossy%2Ch_3000%2Cw_2000%2Cf_auto%2Cq_auto/23234143/98008_546268.png)
[SYC100P170C4WK] 1700V 100A,沟槽型场截止IGBT芯片,低Vce(sat),10μs短路,适用于伺服驱动,以及高功率电机驱动
尺寸(英寸):12
类型:标准
电压(V):1700
电流(A):100
有效芯片数量:560\n详情:SYC100P170C4WK 是一款采用沟槽式 FS 技术的高压 1700V IGBT 芯片。它具有低 Vce(sat)、10μs 短路耐受性和并联能力,是高功率电机驱动 IGBT 和伺服驱动逆变器的理想选择。
类型:标准
电压(V):1700
电流(A):100
有效芯片数量:560\n详情:SYC100P170C4WK 是一款采用沟槽式 FS 技术的高压 1700V IGBT 芯片。它具有低 Vce(sat)、10μs 短路耐受性和并联能力,是高功率电机驱动 IGBT 和伺服驱动逆变器的理想选择。



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