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[SYC30PN65WK] 650V/30A，NPT IGBT芯片，具有低Vce(sat)和10μs短路时间，适用于电机驱动
尺寸（英寸）：6
类型：标准
电压（V）：650
电流（A）：30
有效芯片数量：525
详情：SYC30PN65WK 是一款采用 NPT 技术的高效 650V IGBT 芯片。它具有低 Vce(sat)、10μs 短路能力和方形 RBSOA，是需要可靠功率开关的工业 IGBT 和电机控制 IGBT 应用的理想选择。
类型：标准
电压（V）：650
电流（A）：30
有效芯片数量：525
详情：SYC30PN65WK 是一款采用 NPT 技术的高效 650V IGBT 芯片。它具有低 Vce(sat)、10μs 短路能力和方形 RBSOA，是需要可靠功率开关的工业 IGBT 和电机控制 IGBT 应用的理想选择。
更多详情
应用领域：
- 电机控制应用
- 符合工业市场标准
特性：
- 非穿透式 (NPT) 技术
- 低饱和电压 (Vce(sat))
- 10µs 短路能力
- 方形 RBSOA
- 正饱和电压 (Vce(sat)) 温度系数
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裸片芯片尺寸：
![[SYC30PN65WK]](http://custom-images.strikinglycdn.com/res/hrscywv4p/image/upload/c_limit,fl_lossy,h_9000,w_1200,f_auto,q_auto/23234143/47286_93683.png)