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[SYC50P120H4WF] 1200V 50A，采用沟槽 FS 型 IGBT芯片，低电阻，10μs短路，适用于电动汽车充电器、电池管理系统（BMS）。
尺寸（英寸）：8
类型：标准
电压（V）：1200
电流（A）：50
有效芯片数量：562
详情：SYC50P120H4WF 是一款采用沟槽式 FS 技术的 1200V IGBT 芯片。它具有低开关阻抗、10μs 短路耐受性和并联能力，是电动汽车充电器 IGBT、电机驱动器和电池管理系统 (BMS) 应用的理想选择。
类型：标准
电压（V）：1200
电流（A）：50
有效芯片数量：562
详情：SYC50P120H4WF 是一款采用沟槽式 FS 技术的 1200V IGBT 芯片。它具有低开关阻抗、10μs 短路耐受性和并联能力，是电动汽车充电器 IGBT、电机驱动器和电池管理系统 (BMS) 应用的理想选择。
更多详情
应用领域：
- 电机驱动逆变器
- 电池管理系统 (BMS)
- 电动汽车充电器
特性：
- 沟槽式FS技术
- 低E开关
- 10µs短路能力
- 可并联
- 正Vce(sat)温度系数
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裸片芯片尺寸：
![[SYC50P120H4WF]](http://custom-images.strikinglycdn.com/res/hrscywv4p/image/upload/c_limit,fl_lossy,h_9000,w_1200,f_auto,q_auto/23234143/983253_234877.png)