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[SYC50PN65WK] 650V 50A NPT IGBT芯片，短路时间10μs，低Vce(sat)，适用于电机驱动和工业市场
尺寸（英寸）：6
类型：标准
电压（V）：650
电流（A）：50
有效芯片数量：327
详情：SYC50PN65WK 是一款采用 NPT 技术的 650V 高功率 IGBT 芯片。它具有低 Vce(sat)、10μs 短路能力和方形 RBSOA，是需要稳定功率开关的工业 IGBT 和电机控制 IGBT 应用的理想选择。
类型：标准
电压（V）：650
电流（A）：50
有效芯片数量：327
详情：SYC50PN65WK 是一款采用 NPT 技术的 650V 高功率 IGBT 芯片。它具有低 Vce(sat)、10μs 短路能力和方形 RBSOA，是需要稳定功率开关的工业 IGBT 和电机控制 IGBT 应用的理想选择。
更多详情
应用领域：
- 电机控制应用
- 符合工业市场标准
特性：
- 非穿透式 (NPT) 技术
- 低饱和电压 (Vce(sat))
- 10µs 短路能力
- 方形 RBSOA
- 正饱和电压 (Vce(sat)) 温度系数
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裸片芯片尺寸：
![[SYC50PN65WK]](http://custom-images.strikinglycdn.com/res/hrscywv4p/image/upload/c_limit,fl_lossy,h_9000,w_1200,f_auto,q_auto/23234143/254003_493388.png)