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SYD050Q065AY1S3：650V/50A，使用沟槽式 IGBT，低开关损耗，175°C结温，适用于太阳能转换器、UPS、焊接和高频功率半导体解决方案。
封装：TO-247-3L
VCE(SAT)@typ.Tj=25°C：1.8V
VGEth@typ.Tj=25°C：4.5V
详情：SYD050Q065AY1S3 650V 50A 沟槽式场截止IGBT，低VCE(SAT)，低开关损耗，快速恢复，175°C结温，符合RoHS标准，适用于太阳能转换器、UPS、焊接和高频功率半导体解决方案。
VCE(SAT)@typ.Tj=25°C：1.8V
VGEth@typ.Tj=25°C：4.5V
详情：SYD050Q065AY1S3 650V 50A 沟槽式场截止IGBT，低VCE(SAT)，低开关损耗，快速恢复，175°C结温，符合RoHS标准，适用于太阳能转换器、UPS、焊接和高频功率半导体解决方案。
更多详情
应用领域：
- 太阳能转换器
- 不间断电源 (UPS)
- 焊接转换器
- 中高频开关频率转换器
特性：
- VCE(sat)(typ.) = 1.8V@VGE=15V，IC=50A
- 最高结温 175℃
- 无铅镀层；符合 RoHS 标准
封装尺寸图：
![[SYD050Q065AY1S3]](http://custom-images.strikinglycdn.com/res/hrscywv4p/image/upload/c_limit,fl_lossy,h_9000,w_1200,f_auto,q_auto/23234143/650285_471233.png)