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SYD060Q065AY1S3：650V/60A沟槽式IGBT，超低VCE(sat)，快速开关，耐高温，适用于太阳能转换器、UPS、焊接、高频功率半导体
封装：TO-247-3L
VCE(SAT)@typ.Tj=25°C: 1.6
VGEth@typ.Tj=25°C: 4.5
详情：SYD060Q065AY1S3 650V 60A 沟槽式场截止IGBT，1.6V低饱和电压，快速开关损耗，175°C结温，内置FRD，符合RoHS标准，适用于太阳能转换器、UPS、焊接、高频功率半导体等应用。
VCE(SAT)@typ.Tj=25°C: 1.6
VGEth@typ.Tj=25°C: 4.5
详情：SYD060Q065AY1S3 650V 60A 沟槽式场截止IGBT，1.6V低饱和电压，快速开关损耗，175°C结温，内置FRD，符合RoHS标准，适用于太阳能转换器、UPS、焊接、高频功率半导体等应用。
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应用领域：
◼ 太阳能转换器
◼ 不间断电源 (UPS)
◼ 焊接转换器
◼ 中高频开关频率转换器
特性：
◼ 650V，60A
◼ VCE(sat)(typ.) = 1.6V @ VGE=15V，IC=60A
◼ 最高结温 175℃
◼ 无铅镀层；符合 RoHS 标准
封装尺寸图：
![[SYD060Q065AY1S3]](http://custom-images.strikinglycdn.com/res/hrscywv4p/image/upload/c_limit,fl_lossy,h_9000,w_1200,f_auto,q_auto/23234143/650285_471233.png)