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SYD15H120ADB：1200V/15A，采用沟槽式 IGBT，具有低损耗，正温度系数，高可靠性，适用于太阳能系统，UPS，焊机等
封装：TO-247-3L
VCE(SAT)@typ.Tj=25°C：1.85
VGEth@typ.Tj=25°C：5.9
详情：SYD15H120ADB 1200V 15A 场截止沟槽式IGBT，低VCE(SAT)，低开关损耗，正温度系数，工作温度175°C，符合RoHS标准，适用于太阳能逆变器、焊机、UPS电源半导体解决方案。
VCE(SAT)@typ.Tj=25°C：1.85
VGEth@typ.Tj=25°C：5.9
详情：SYD15H120ADB 1200V 15A 场截止沟槽式IGBT，低VCE(SAT)，低开关损耗，正温度系数，工作温度175°C，符合RoHS标准，适用于太阳能逆变器、焊机、UPS电源半导体解决方案。
更多详情
应用领域：
- 焊机
- UPS（不间断电源）
- 太阳能逆变器
特性：
- 低VCE(sat)沟槽式IGBT技术
- 低开关损耗
- 低杂散电感
- 最高结温175℃
- 正VCE(sat)温度系数
- 无铅，符合RoHS要求
封装尺寸图：
![[SYD15H120ADB]](http://custom-images.strikinglycdn.com/res/hrscywv4p/image/upload/c_limit,fl_lossy,h_9000,w_1200,f_auto,q_auto/23234143/155718_107225.png)