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SYD2065SL：650V/20A IGBT，具有低损耗、快速开关、内置FRD、易于并联，适用于UPS、PFC、电机驱动等
封装：TO-247-3L
VCE(SAT)@typ.Tj=25°C：1.7V
VGEth@typ.Tj=25°C：5.5V
详情：SYD2065SLW/SLA/SLB/SLP 650V 20A 沟槽式 IGBT，具有低 VCE(sat)、低开关损耗、快速恢复二极管、5μs 短路耐受、多种封装形式，符合 RoHS 标准，适用于 UPS、PFC、电机驱动等半导体解决方案。
VCE(SAT)@typ.Tj=25°C：1.7V
VGEth@typ.Tj=25°C：5.5V
详情：SYD2065SLW/SLA/SLB/SLP 650V 20A 沟槽式 IGBT，具有低 VCE(sat)、低开关损耗、快速恢复二极管、5μs 短路耐受、多种封装形式，符合 RoHS 标准，适用于 UPS、PFC、电机驱动等半导体解决方案。
更多详情
应用领域：
- UPS（不间断电源）
- PFC（功率因数校正）
- 电机控制
特性：
- 饱和电压降：正温度系数
- 易于并联电路使用
- 低开关损耗
- 内置快速恢复二极管
- 高可靠性和热稳定性
- 良好的参数一致性
封装尺寸图：
![[SYD2065SLW]](http://custom-images.strikinglycdn.com/res/hrscywv4p/image/upload/c_limit,fl_lossy,h_9000,w_1200,f_auto,q_auto/23234143/563088_500726.png)