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SYD2065SLB：650V/20A IGBT，具有低饱和电压、低损耗和5μs短路耐受能力，内置快速恢复二极管，适用于UPS、PFC、电机控制。
封装：TO-220F
VCE(SAT)@typ.Tj=25°C：1.7V
VGEth@typ.Tj=25°C：5.5V
详情：SYD2065SLA/SLP/SLB/SLD 650V 20A IGBT晶体管具有低VCE(sat)、低导通/开关损耗、快速恢复二极管、5μs短路耐受能力，并提供多种封装（TO-247/220/220F/263），是UPS、PFC、电机控制和电源半导体解决方案的理想选择。
VCE(SAT)@typ.Tj=25°C：1.7V
VGEth@typ.Tj=25°C：5.5V
详情：SYD2065SLA/SLP/SLB/SLD 650V 20A IGBT晶体管具有低VCE(sat)、低导通/开关损耗、快速恢复二极管、5μs短路耐受能力，并提供多种封装（TO-247/220/220F/263），是UPS、PFC、电机控制和电源半导体解决方案的理想选择。
更多详情
应用领域：
- UPS（不间断电源）
- PFC（功率因数校正）
- 电机控制
特性：
- 饱和电压降：正温度系数
- 易于并联电路使用
- 低开关损耗
- 内置快速恢复二极管
- 高可靠性和热稳定性
- 良好的参数一致性
封装尺寸图：
![[SYD2065SLB] 650V/20A IGBT delivers low saturation voltage, low loss, built-in fast recovery diode](http://custom-images.strikinglycdn.com/res/hrscywv4p/image/upload/c_limit,fl_lossy,h_9000,w_1200,f_auto,q_auto/23234143/426588_23113.png)