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SYD25H120ADB：1200V/25A，沟槽式 IGBT，符合 RoHS 标准，低饱和电压 (VCE(sat))，低损耗，正温度系数，适用于焊机/UPS
封装：TO-247-3L
VCE(SAT)@typ.Tj=25°C: 1.8
VGEth@typ.Tj=25°C: 6
详细信息：SYD25H120ADB 1200V 25A 场截止沟槽 IGBT，1.7V 饱和电压，低开关损耗，正温度系数，175°C，符合 RoHS 标准，适用于太阳能逆变器、焊机、UPS 电源半导体。
VCE(SAT)@typ.Tj=25°C: 1.8
VGEth@typ.Tj=25°C: 6
详细信息：SYD25H120ADB 1200V 25A 场截止沟槽 IGBT，1.7V 饱和电压，低开关损耗，正温度系数，175°C，符合 RoHS 标准，适用于太阳能逆变器、焊机、UPS 电源半导体。
更多详情
应用领域：
- 焊机
- UPS（不间断电源）
- 太阳能逆变器
特性：
- 低VCE(sat)沟槽式IGBT技术
- 低开关损耗
- 低杂散电感
- 最高结温175℃
- 正VCE(sat)温度系数
- 无铅，符合RoHS要求
封装尺寸图：
![[SYD25H120ADB]](http://custom-images.strikinglycdn.com/res/hrscywv4p/image/upload/c_limit,fl_lossy,h_9000,w_1200,f_auto,q_auto/23234143/155718_107225.png)