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SYD3065SLW：650V/30A IGBT，低 VCE(sat)、低导通/开关损耗、5μs 短路耐受，内置FRD功能，适用于逆变器、UPS、PFC和电机驱动
封装：TO-247
VCE(SAT)@typ.Tj=25°C：1.9V
VGEth@typ.Tj=25°C：4V
详情：SYD3065SLW 650V 30A 高速 IGBT 晶体管具有低 VCE(sat)、低导通/开关损耗、快速恢复二极管、5μs 短路耐受、易于并联运行、多种封装（TO-247/220/220F/263），是逆变器、UPS、PFC 和电机驱动半导体解决方案的理想选择。
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VGEth@typ.Tj=25°C：4V
详情：SYD3065SLW 650V 30A 高速 IGBT 晶体管具有低 VCE(sat)、低导通/开关损耗、快速恢复二极管、5μs 短路耐受、易于并联运行、多种封装（TO-247/220/220F/263），是逆变器、UPS、PFC 和电机驱动半导体解决方案的理想选择。
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应用领域：
- UPS（不间断电源）
- 电机控制
特性：
- 饱和电压降：正温度系数
- 易于并联电路使用
- 低开关损耗
- 内置快速恢复二极管
- 高可靠性和热稳定性
- 良好的参数一致性
- 最短短路保护时间 5µs
封装尺寸图：
![[SYD3065SLW] 650V/30A IGBT features low saturation voltage, high-speed switching and built-in FRD](http://custom-images.strikinglycdn.com/res/hrscywv4p/image/upload/c_limit,fl_lossy,h_9000,w_1200,f_auto,q_auto/23234143/563088_500726.png)