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SYD40H120ADB：1200V/40A，沟槽式 IGBT，低饱和电压，低损耗，高可靠性，符合RoHS标准，适用于 UPS，太阳能逆变器等
封装：TO-247-3L
VCE(SAT)@typ.Tj=25°C: 1.6
VGEth@typ.Tj=25°C: 5.5
详情：SYD40H120ADB 1200V 40A 场截止沟槽 IGBT，低 VCE(sat)，低开关损耗，正温度系数，175°C，符合RoHS标准，适用于太阳能逆变器、UPS、焊接电源半导体。
VCE(SAT)@typ.Tj=25°C: 1.6
VGEth@typ.Tj=25°C: 5.5
详情：SYD40H120ADB 1200V 40A 场截止沟槽 IGBT，低 VCE(sat)，低开关损耗，正温度系数，175°C，符合RoHS标准，适用于太阳能逆变器、UPS、焊接电源半导体。
更多详情
应用领域：
⚫ 焊机
⚫ UPS（不间断电源）
⚫ 太阳能逆变器
特性：
⚫ 低 VCE(sat) 沟槽式 IGBT 技术
⚫ 低开关损耗
⚫ 低杂散电感
⚫ 最高结温 175℃
⚫ 正 VCE(sat) 温度系数
⚫ 无铅，符合 RoHS 要求
封装尺寸图：
![[SYD40H120ADB]](http://custom-images.strikinglycdn.com/res/hrscywv4p/image/upload/c_limit,fl_lossy,h_9000,w_1200,f_auto,q_auto/23234143/155718_107225.png)