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SYD40N120LN：1200V/40A沟槽式IGBT，低损耗，高耐用性，内置反并联二极管，适用于UPS/逆变器
封装：TO-247-3
VCE(SAT)@typ.Tj=25°C: 1.9
VGEth@typ.Tj=25°C: 5
详情：SYD40N120LN 1200V 40A 沟槽式场截止 IGBT，低 VCE(sat)，低开关损耗，高短路耐受性，反并联二极管，175°C，符合 RoHS 标准，适用于 UPS、通用逆变器、高频转换器半导体解决方案。
VCE(SAT)@typ.Tj=25°C: 1.9
VGEth@typ.Tj=25°C: 5
详情：SYD40N120LN 1200V 40A 沟槽式场截止 IGBT，低 VCE(sat)，低开关损耗，高短路耐受性，反并联二极管，175°C，符合 RoHS 标准，适用于 UPS、通用逆变器、高频转换器半导体解决方案。
更多详情
应用：
- 不间断电源 (UPS)
- 逆变器
- 高开关频率转换器
特性
- 高达 1200V 的击穿电压，提升可靠性
- 沟槽式场截止技术
- 高耐用性，温度稳定性
- 低开关损耗
- 由于 VcEsat 具有正温度系数，易于并联开关
- 最高结温 175°C
封装尺寸图：
![[SYD40N120LN]](http://custom-images.strikinglycdn.com/res/hrscywv4p/image/upload/c_limit,fl_lossy,h_9000,w_1200,f_auto,q_auto/23234143/155718_107225.png)