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SYD40N170TMA1：700V/40A 沟槽式 IGBT，低 VCEsat，高耐用性，10μs 短路耐受能力，适用于电动汽车充电
封装：TO-247
VCE(SAT)@typ.Tj=25°C: 1.7
VGEth@typ.Tj=25°C: 5.7
详细信息：SYD40N170TMA1 1700V 40A 沟槽式场截止 IGBT，低饱和电压，高短路耐受性，10μs SCSoa，正温度系数，175°C，符合 RoHS 标准，适用于电动汽车充电器、UPS、工业逆变器半导体解决方案。
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VGEth@typ.Tj=25°C: 5.7
详细信息：SYD40N170TMA1 1700V 40A 沟槽式场截止 IGBT，低饱和电压，高短路耐受性，10μs SCSoa，正温度系数，175°C，符合 RoHS 标准，适用于电动汽车充电器、UPS、工业逆变器半导体解决方案。
更多详情
应用：
- 逆变器
- 不间断电源 (UPS)
- 电动汽车充电
- PTC 应用
特性：
1. 高达 1700V 的击穿电压，提升可靠性
2. 沟槽式阻隔技术：
- 参数分布非常集中
- 坚固耐用，温度稳定性好
- 低 VCEsat 电压
- 短路耐受时间 - 10 秒
- 由于 VCEsat 电压的温度系数，易于并联切换
3. 增强的雪崩抗冲击能力
封装尺寸图：
![[SYD40N170TMA1]](http://custom-images.strikinglycdn.com/res/hrscywv4p/image/upload/c_limit,fl_lossy,h_9000,w_1200,f_auto,q_auto/23234143/155718_107225.png)