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SYD40N170TMA1: 700V/40A trench IGBT, low VCEsat, high ruggedness, 10μs SC withstand for EV charging

SYD40N170TMA1: 700V/40A trench IGBT, low VCEsat, high ruggedness, 10μs SC withstand for EV charging

Package:TO-247\nVCE(SAT)@typ.Tj=25°C: 1.7\nVGEth@typ.Tj=25°C: 5.7\nDetails: SYD40N170TMA1 1700V 40A trench field‑stop IGBT, low saturation voltage, high short‑circuit ruggedness, 10μs SCSoa, positive temp coeff, 175°C, RoHS, for EV charger, UPS, industrial inverter semiconductor solutions.
Specification
Specification
更多详情

APPLICATION: 

  • Inverter
  • Uninterrupted Power Supply
  • EV-Charging
  • PTC applications

FEATURES: 
1. High breakdown voltage to 1700V for improved reliability
2. Trench-Stop Technology offering :

  • Very tight parameter distribution
  • High ruggedness, temperature stable behavior
  • Low VCEsat
  • Short circuit withstand time - 10 s
  • Easy parallel switching capability due to temperature coefficient in VCEsat

3.Enhanced avalanche capability
 

     

    SYD40N170TMA1: 700V/40A trench IGBT, low VCEsat, high ruggedness, 10μs SC withstand for EV charging

    Package Dimensions Diagram:

    [SYD40N170TMA1]

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