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SYSD170N022AG1：1700V 22mΩ SiC MOSFET，低导通电阻 (RDS(on))，快速开关，符合 RoHS 标准，适用于转换器
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SYSD170N022AG1：1700V 22mΩ SiC MOSFET，低导通电阻 (RDS(on))，快速开关，符合 RoHS 标准，适用于转换器

封装：TO-247-3L/4L
电压(V)：1700
RDS(ON), TYP：22mΩ
详情：SYSD170N022AG1 是一款 1700V 大功率 SiC MOSFET，具有超低的 22mΩ 导通电阻 (RDS(on))。它具有快速开关、低栅极电荷和符合 RoHS 标准的特性，是工业高压逆变器和可再生能源应用的理想选择。
Specification
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更多详情

应用：

  • 非对称桥式转换器
  • 逆变器
  • 单开关正激式转换器
  • 反激式转换器

特性：

  • 低漏源导通电阻：RDS(ON)=22mΩ（典型值）
  • 易于控制的栅极开关
  • 增强模式：Vth = 2.0 至 4.0 V
 

 

SYSD170N022AG1：1700V 22mΩ SiC MOSFET，低导通电阻 (RDS(on))，快速开关，符合 RoHS 标准，适用于转换器

 

封装及内部电路图：

 

[SYSD170N022AG1]
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