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[SYSM008S120TPKG1] 1200V 230A SiC MOSFET，8.9mΩ 超低导通电阻 (RDS(on))，高速，适用于电动汽车逆变器
封装：TPAK
电压(V): 1200
电流(A): 200
VGEth TJ =25°C.V: 2.7
详情：SYSM008S120TPKG1 是一款高电流 1200V SiC MOSFET，导通电阻为 8.9mΩ。它具有快速开关和稳定的二极管性能，是电动汽车主驱动和工业转换器的理想选择。
电压(V): 1200
电流(A): 200
VGEth TJ =25°C.V: 2.7
详情：SYSM008S120TPKG1 是一款高电流 1200V SiC MOSFET，导通电阻为 8.9mΩ。它具有快速开关和稳定的二极管性能，是电动汽车主驱动和工业转换器的理想选择。
更多详情
应用：
- 在整个温度范围内具有极低的导通电阻 (RDS(on))
- 高速开关性能
- 快速且稳定的固有体二极管
- 源极检测引脚，可提高效率
- 主逆变器（电力牵引）
特性：
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 8.9 mΩ（典型值）
- 易于控制的栅极开关
- 增强模式：Vth = 1.8 至 4.0V
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封装尺寸：
![[SYSM008S120TPKG1]](http://custom-images.strikinglycdn.com/res/hrscywv4p/image/upload/c_limit,fl_lossy,h_9000,w_1200,f_auto,q_auto/23234143/229566_38046.png)