• SiC模块

    深华颖已完成其 3300 V / 800 A 超高压 SiC晶圆的设计

  • 为什么选择深华颖的SiC模块？

    深华颖的SiC模块主要应用于新能源汽车和光伏储能系统。该公司在电动汽车领域的技术已相当成熟，并与大众汽车、广汽集团和北汽集团等领先制造商建立了长期合作关系。

    在光伏储能应用中，这些组件也能显著提高能源效率，深华颖的碳化硅功率器件的击穿电压高达 200 kV。 工作温度高达 600°C 。由于其极低的导通电阻以及对高压、高温和高频环境的适用性，这些基于碳化硅的功率开关可将开关相关的功率损耗降低80%以上。 与传统的硅基器件相比，这种新型器件体积和重量均减少了约40% 。这些优势有望对未来的电网基础设施和能源战略调整产生重大影响。

  • 封装列表

    EcoDUAL封装采用直接覆铜基板技术，具有优异的热循环和功率循环性能。

    EconoDUAL

    覆铜基板。热循环。功率循环。

    SHYSEMI 的 HPD 套件目前是电动汽车主逆变器市场的标杆和主流选择。

    HPD

    电动汽车。逆变器市场。

    双面散热，热阻降低约 50%。

    DCM

    双面散热。

    热阻降低了50%。

    SHYSEMI 的 Econo 封装优化了热阻，并集成了温度传感和电流传感功能，使其能够适应更高的功率密度。

    经济学2

    优化热阻。温度传感。电流传感。

    SHYSEMI 的 TPAK 封装尺寸紧凑，非常适合空间受限的汽车电源应用，例如车载电脑和 DC-DC 转换器。

    TPAK

    尺寸小巧。可应用于车载电脑和直流-直流转换器等应用。

    SHYSEMI 的 SOT-227 封装具有军用级的坚固结构。

    今日-227

    适度的芯片设计。成熟的系统设计

  • EconoDUAL 应用领域：

    EconoDUAL 拥有卓越的可靠性和稳定性。深华颖优化了内部总线结构，从而降低了功率电路和栅极电路中的寄生电感，有助于减少开关过电压和振荡，提高系统稳定性。

    • 开关电源的同步整流
    • 硬切换
    • 高速电路
    • 电信中的直流/直流
    • 工业领域

    SYSM120N200A

    • 封装： EconoDUAL
    • 电压(V): 1200
    • 电流(A)：200
    • V GEth @typ.Tj=25°C: 2.5

  • 特征：

    • 高速功率开关
    • 增强型体二极管DV/DT能力
    • 增强雪崩强度
    Section image

  • HPD应用：

    深华颖的高压放电 (HPD) 产品符合AEC-Q101和AQG-324等严格的汽车行业标准。它们具有高功率循环和温度循环能力，确保长达 15 年或数万公里的使用寿命。公司已与广汽、东风、长城和北汽等领先汽车品牌签署了长期供货协议。

    • 汽车应用
    • 混合动力电动汽车 (H)EV
    • 电机驱动
    • 商用农业车辆

    • 封装： HPD
    • 电压(V): 1200
    • 电流(A): 400/600/800
    • V GEth @typ.Tj=25°C: 3.0

  • 特征：

    • VDSS=1200V
    • IDnom=400A
    • 新型半导体材料——碳化硅低导通电阻
    • 低转换损耗
    • 低Qg和Crss
    • 低电感设计<10nH
    • Tvjop=150°C
    Section image

  • DCM应用：

    DCM（直接冷却模块）封装代表了双面冷却技术的巅峰之作，实现了最佳的功率密度和散热效率。与同等输出功率的HPD和其他单面冷却模块相比，DCM的体积和重量减少了30%以上，使其成为实现电驱动系统高集成度和小型化的关键解决方案。SHYSEMI的DCM主要面向高端电动汽车、高性能车型、燃料电池汽车以及相关的空气压缩机驱动系统。

    • 汽车应用
    • 混合动力电动汽车 (H)EV
    • 电机驱动
    • 商用农业车辆

    • 封装： DCM
    • 电压(V): 1200
    • 电流(A)：480
    • V GEth T J =25°CV: 2.6

  • 特征：

    • 低转换损耗
    • 低电感设计≤6.6nH
    • 低Qg和Crss
    • 高性能Si3N4陶瓷
    • 直冷式针翅底板
    • 低电感设计<10nH
    • 高Tg EMC传递模塑
    • 铜线键合
    • 银烧结
    Section image

  • Econo2应用：

    虽然传统的经济型模块主要采用第四代IGBT技术，但SHYSEMI的产品同样采用这一技术，却实现了显著的进步：在芯片尺寸不变的情况下，电压等级从1200V提升至1700V。此外，这些器件由全球知名的华虹集团旗下顶级晶圆厂制造，得益于严格的质量控制体系，确保了卓越的产品可靠性。

    • 太阳能逆变器
    • 三相PFC
    • UPS 和 SMPS
    • 再生驱动
    • 电机驱动
    • 感应加热

  • SYSMSC50FF120T5H

    • 封装：Econo2
    • 电压(V): 1200
    • 电流(A)：50
    • V GEth T J =25°CV: 2.3

  • 特征：

    • 超低损耗
    • 高频操作
    • 二极管零反向恢复电流
    • MOSFET的零关断尾电流
    • 常闭、故障安全设备操作
    • 易于并行化
    • 铜底板和氮化铝绝缘体
    Section image

  • TPAK应用：

    深华颖的 TPAK 专为 SiC MOSFET 和高频应用而设计，是一款紧凑型车规级功率封装。它采用引线框架和铜夹设计，最大限度地降低了源极电感。这种低电感架构充分发挥了 SiC 的高速开关潜力，使频率可达数百千赫兹。开关频率的提升为电感器和电容器等外部无源元件的大幅小型化铺平了道路。

    • 在整个温度范围内，RDS(on) 值都非常低
    • 高速交换性能
    • 速度极快且性能稳定的本征体二极管
    • 用于提高效率的源极感应引脚
    • 主逆变器（电力牵引）

  • SYSM008S120TPKG1

    • 封装：TPAK
    • 电压(V): 1200
    • 电流(A)：200
    • V GEth T J =25°CV: 2.7

  • 特征：

    • 低漏源导通电阻： RDS(ON) = 8.9 mΩ （典型值）
    • 易于控制的门开关
    • 增强模式： Vth = 1.8 至 4.0V
    Section image

  • SOT-227应用：

    深华颖的 SOT-227 封装采用军用级坚固结构。其内部采用直接键合铜 (DBC) 基板和抗疲劳焊接技术，使其功率循环能力远超传统封装。其典型寿命可超过10 万次温度循环，即使在严苛的工业环境中也能确保长期稳定运行。

    此外，该封装采用“堆叠式母线”设计，电源端子（DC+、DC-、AC输出）并联排列。这种配置可实现低至10nH的环路电感，这对于现代高速IGBT和SiC MOSFET而言至关重要，因为它能有效抑制开关过电压和振荡。

    • 焊接机 CVT
    • UPS
    • 直流充电
    • 高频输出整流器

  • MPRA1C65-S61

    • 封装： SOT-227
    • 电压(V): 650
    • 电流(A): 100
    • R thjc ：0.68

  • 特征：

    • 几乎没有开关损耗
    • 逆向回收金额微乎其微。
    • 高浪涌电流能力
    • 更高的开关频率
    • 系统效率提升
    • 正温度系数
    • 温度无关开关
    • 散热需求低
    • 符合RoHS标准，不含卤素
    Section image
Cookie的使用
我们使用cookies来确保流畅的浏览体验。若继续，我们认为你接受使用cookies。
了解更多