SiC模块
在光伏储能应用中，深华颖的碳化硅功率器件的击穿电压高达 200 kV，工作温度高达 600°C 。由于其极低的导通电阻以及对高压、高温和高频环境的适用性，可将开关相关的功率损耗降低80%以上。与传统的硅基器件相比，体积和重量均减少了约40% 。
型号选择
[MPRA1C65-S61] 650V 100A SiC 整流模块，反向恢复极小，焊接用高浪涌电流
[SYSM008S120TPKG1] 1200V 230A SiC MOSFET，8.9mΩ 超低导通电阻 (RDS(on))，高速，适用于电动汽车逆变器
[SYSMSC50FF120T5H] 1200V 87A SiC MOS 模块，25mΩ 低导通电阻 (RDS(on))，零反向恢复，适用于太阳能和 UPS
[SYSM480HF12DCM] 1200V 480A SiC MOSFET 模块，2.2mΩ 超低导通电阻 (RDS(on))，低电感，适用于电动汽车驱动系统
[SYSM3F02R12HPD] 1200V 400A SiC MOS 模块，2.55mΩ 超低导通电阻 (RDS(on))，低电感，适用于电动汽车电机
[SYSM120N200A] 1200V 200A SiC MOSFET 模块，15mΩ 低导通电阻，快速开关，适用于 DC/DC 和 SMPS 电源
