重新定义高可靠性电源转换：1700V 高速 IGBT 分立器件

SYD40N170TMA1 – 新一代 1700V IGBT，适用于工业和新能源应用

在高效、稳定、紧凑的电力电子领域，IGBT 的性能决定了系统的极限。SH YSEMI 的SYD40N170TMA1 具备1700V 超高耐压能力、40A 电流处理能力以及突破性的 Trench-Stop™ 技术，使其成为工业逆变器、电动汽车充电和高端电源系统的理想核心器件。

✔ 1700V 超高压 – 增强电网级逆变器和快速充电器的雪崩防护能力
✔ Trench-Stop™ 技术 – 1.7VV _CE(sat) （典型值 @40A），传导损耗降低 75%
✔ 10μs短路耐受能力 – 业界领先的故障恢复能力
✔ 高速开关 –_导通时间35ns /_关断时间320ns ，总开关损耗 12mJ
✔ 工业级耐用性 – 工作温度范围 -40°C 至 +175°C，热阻 0.25K/W

应用领域：绿色能源与智能工业

⚡ 工业驱动器和UPS – 效率高达98%以上，模块化并联扩展
⚡电动汽车快速充电器 – 直接兼容800V电压，充电速度提升50%
⚡ PTC加热 – 简化的多模块控制，温度均匀
⚡ 太阳能和储能逆变器 – 卓越的电网干扰抗扰能力

为创新而设计

🔹 集成 快速恢复二极管e (67A I _F @25°C )
🔹 低栅极电荷 (450nC Q _g ) 实现经济高效的驱动
🔹 TO-247封装 – 易于热集成和自动化组装

选择 SYD40N170TMA1 用于：
✅ 超高可靠性 – 1700V 隔离电压 + 10μs SC 耐受
✅ 最大限度提高效率 – 降低损耗和制冷成本
✅ 面向未来——兼容SiC驱动架构

经证实的卓越性能：
📊 40A 连续电流 | 120A 脉冲电流 | 175°C 全范围温度 | 0.25K/W 热阻

立即升级您的电源系统——让 SYD40N170TMA1 成为您的终极解决方案！

SHYSEMI产品的优势：

SHYSEMI 专注于中高功率半导体解决方案，提供从 IGBT 芯片设计到器件制造的集成优势。

1. 自行设计 IGBT芯片——我们采用第六代沟槽场效应技术，开发了1200V（75A-200A）IGBT芯片及其配套的FRD系列，以及1700V 150A和200A系列，产品性能位居行业前列。我们的1700V系列产品在国内市场处于领先地位。
2. 高性能IGBT模块——采用自主研发的芯片，我们的62mm和Econo系列模块在关键性能测试中超越国内竞争对手，甚至超越日本同类产品。
3. 经济高效的IGBT分立器件——我们的650V系列产品具有卓越的性价比。
4. 可靠的IPM解决方案——650V IPM系列产品以其高可靠性和卓越品质，在工业控制和逆变器应用中表现出色。
5. 用于储能的创新型 TOLL-8L MOSFET – 主要优势：
   ✔ 更高的系统效率
   ✔ 降低电磁干扰噪声
   ✔ 热损耗降低30%以上
   ✔ 占地面积缩小 60% – 非常适合紧凑型设计

SHYSEMI——以尖端半导体解决方案助力创新。