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我们为您的产品设计和制造半导体芯片、分立功率器件和功率模块。
  • 芯片设计与制造

    深华颖是一家提供设计制造半导体芯片、分立功率器件和功率模块为一体的供应商

    关于深华颖
    核心技术
  • 主要产品

    深华颖提供最全面的 IPM 封装型号、芯片技术、完整的配套产品和透明的售后服务。

    IPM模块

    深华颖提供全系列包装产品。

    这些产品节能高效、性能稳定,在家用电器领域取得了最大的成效。

    IGBT

    深华颖的IGBT产品凭借先进的芯片技术,性能优于日本同类产品。

    FRD(MUR)

    • 原厂生产
    • 价格优势
    • 供应充足

    碳化硅

    深华颖SiC MOSFET HPD 可将逆变器效率提高5% 至 8%。

    整流器

    • 熔断额定值: 50V 至 1000V峰值电压(t < 8.3ms)
    • 阻燃材料等级: 94V-0
  • 解决方案

    深华颖的解决方案包含智能功率模块 (IPM)、IGBT、SiC MOSFET 和高性能功率模块,适用于逆变器、电机驱动器和电力电子设备。

    家用电器

    深华颖的 MIPS 集成了三相全桥逆变器和 PFC 功能。

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    新能源汽车

    我们的SiC MOS系列产品能够满足高温环境下高电压、大电流、高性能的应用需求。

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    可再生能源

    采用 SiC MOSFET 或 IGBT+SiC SBD 模块,效率可提高至 96% 以上。

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    工业设备

    深华颖的 1200 –1700 V IGBT 模块在变频驱动器中实现了> 98% 的效率。

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    数据中心

    深华颖的IGBT和FRD可确保稳定的 PFC 和逆变器性能。

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  • 为什么选择深华颖?

    深华颖致力于追求卓越,其产品均通过了ISO9001和IATF16949认证,且部分产品符合汽车级ACE-Q认证标准。深华颖提供可靠、高性能的半导体解决方案,以满足不断变化的市场需求。

    4

    深华颖拥有4 个制造工厂,基地分别位于太仓(苏州)、广州经济开发区、仲恺(惠州)和大庆(黑龙江) 。

    货源充足,发货迅速。

    23+

    深华颖一直致力于高性能功率半导体产品的研发、生产和销售,并已获得ISO9001和TS16949标准的认证。

    200+

    IPM系列产品也帮助小米、长虹、 TCL等知名品牌不断迭代提升产品性能。

  • 我们的技术团队

    深华颖的使命是为客户提供卓越的功率半导体解决方案,推动电子技术发展,实现可持续发展。深华颖的愿景是成为世界领先的功率半导体供应商,引领行业创新与发展。

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    威廉博士,首席技术官

    冯博士研制出了中国首款高压集成电路(HVIC)和智能功率模块(IPM)。
    我们的领导团队成员曾在财富全球 500 强公司担任要职,包括半导体技术总监和大型半导体研究机构负责人。

    我们在功率半导体集成领域拥有800 多项专利,连续四年荣获中国专利奖,并荣获广东省发明家奖。

    更多工程师
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    研发:杰克

    杰克毕业于清华大学,在宽带隙半导体(SiC/IPM)和IGBT模块设计方面拥有深厚的专业知识,领导着我们的研发工作。

    他的团队致力于研发下一代功率器件,优化电动汽车、太阳能逆变器和工业电机驱动器的热性能、开关效率和耐用性。

    更多工程师
  • 合作伙伴

    深华颖的合作伙伴涵盖广泛的领域,包括工业、汽车、新能源、智能家居和消费电子产品。

  • 博客

    作为一家创新型功率半导体供应商,深华颖专注于先进功率器件的研发、制造和销售,提供高性能 IPM、IGBT、SiC 解决方案、MOSFET 及相关技术,应用于能源转换、电动汽车、工业自动化和可再生能源系统。

    回顾深华颖年度回顾及团队庆祝活动
    海边团队合作:深华颖在较场尾的海岸度假胜地
    韧性与壮丽景色:深华颖的莽山探险
  • 联系我们

    如需了解更多信息或获取产品报价,请发送邮件给我们。​​​​

    我们会尽快通过电子邮件与您联系。​​​​​​

    深圳市龙华区民治街道民乐社区星河WORLD二期C栋806
    周一至周五
    9:00 - 18:00
    +86 0755 2373 1480
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产品

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IGBT单管

IGBT芯片

SiC MOS

SiC模块

FRD / MUR

FRD芯片

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