• 1700V高密度芯片技术

    深华颖半导体的IGBT芯片采用第六代沟槽场工艺自主设计，已开发出1200V（75A-300A）芯片及相应的FRD系列产品，以及1700V（150A/200A）系列产品。这些产品的性能处于行业领先水平，其中1700V系列产品更是达到了国内领先水平。

  • 芯片的技术优势

    深华颖的IGBT芯片采用第六代沟槽场工艺自主设计，已开发出1200V（75A-300A）芯片及相应的FRD系列产品，以及1700V（150A/200A）系列产品。这些产品的性能处于行业领先水平，其中1700V系列产品更是达到了国内领先水平。

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    深华颖的核心优势：

    1. 芯片流片在世界第三大晶圆厂（华虹集团）进行。
    2. 芯片采用深华颖半导体专有的第六代沟槽场技术。
    3. 在芯片尺寸不变的情况下，可将工作电压从1200V 提高到 1700V 。
    4. Vcesat系数明显低于国内同类产品。
    5. 提供晶圆级CP测试数据。
    6. 支持客户定制芯片开发。

  • 深华颖半导体自主研发的芯片

    深华颖自主研发的芯片包含：IGBT 芯片，SiC芯片，快恢复二极管芯片，这些芯片通过世界第六大的华虹集团流片，已广泛应用在各大车企，家电，消费类产品等领域。

    IGBT 芯片

    • 第六代沟槽式IGBT技
    • 1200V–1700V全范围
    • 业界领先性能
    • 领先的1700V技术
    • 低Vce(sat)和损耗
    • 高能效

    FRD / MUR 芯片

    • 快速恢复性能
    • 高电压和电流承受能力
    • 超低反向漏电流
    • 低正向压降
    • 优异的热稳定性
    • 高频效率

    碳化硅芯片

    • 量产认证
    • 效率提升 5%–8%
    • 高功率密度
    • 耐高温性能
    • 快速开关
    • 简化电路
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