深华颖的FRD芯片有哪些突出特点？
第六代沟槽场终止（TFS）工艺是功率半导体技术的分水岭，实现了阻断电压、导通损耗和开关速度的最佳平衡，确立了硅 FRD 的最终技术水平。
深华颖利用这一工艺开发了其1200V 和 1700V产品系列，该系列产品采用统一的芯片尺寸，提高了生产效率。这些芯片由全球第六大晶圆代工厂华虹集团进行流片。
特征：
- 降低二极管和开关晶体管的功率损耗
- 高频操作
- 针对开关柔和性进行了优化，降低了电磁干扰。
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