Ray——研发主管，致力于推动功率半导体技术的创新

雷，一位毕业生 清华大学是我们研发战略背后的驱动力。作为研发负责人，他领导公司在宽禁带半导体、 智能功率模块（IPM）和IGBT模块设计方面的创新路线图，将先进的器件物理转化为可扩展、高可靠性的电源解决方案，服务于全球市场。

凭借扎实的学术基础和在电力电子及半导体器件工程方面的丰富实践经验，Ray 在塑造下一代功率半导体平台方面发挥着关键作用，这些平台能够满足电动汽车 (EV) 、 可再生能源系统以及 工业电机驱动器。

Ray毕业于清华大学，这是世界顶尖的工程和应用科学学府之一。他的学术训练为他提供了半导体物理、功率器件结构和电子材料方面的扎实基础，这为他长期专注于高性能功率半导体技术奠定了基础。

从职业生涯伊始，雷就展现出将理论研究与实际工程相结合的卓越能力，这一技能也始终贯穿于他的领导风格之中。他并不追求孤立的器件优化，而是强调系统级性能，确保功率半导体解决方案在应用层面能够带来可衡量的价值。

在宽禁带半导体和功率模块方面拥有专业知识

Ray 的技术专长集中在宽禁带半导体技术，特别是碳化硅 (SiC) 技术。 他曾领导多个研发项目，致力于改进以下方面：器件，以及先进的IPM和IGBT模块架构。

• 通过优化芯片布局、采用先进封装技术和低热阻模块设计来提升散热性能
• 提高开关效率，降低开关损耗，并实现更高的工作频率
• 电气性能坚固可靠，确保在高压、大电流和宽温度范围等恶劣条件下稳定运行。

在他的领导下，研发团队不断改进功率模块设计方法，兼顾效率。