MOSFET的基本结构
MOSFET是一种 MOS 结构，每侧有两个触点。
无电流
通过控制栅极，我们可以打开和关闭沟道。当栅极打开时，电子会出现在沟道区域。
> 薄电子层（沟道）连接源极和漏极。
阻塞模式
在阻塞操作（栅极关闭，无沟道）中，漏极和 p 衬底（通过体与源极连接）之间存在耗尽区。
高阻断电压的要求
高电场会导致雪崩效应。然而，高阻断电压需要较大的耗尽区面积。此外，耗尽区不能延伸到源极，以避免击穿电流。
需要大范围的损耗区域
对开启状态电阻的影响
然而，宽沟道 MOSFET 也具有长沟道：
这会增加导通电阻 Rpson。
幸运的是，还有更好的方案。
漏极扩展型 MOSFET
我们可以通过引入低掺杂的 n 区离子来缩短沟道。
> 降低 Rpson
然而，在阻塞模式下，耗尽区会延伸到低掺杂的 n区。
宽耗尽区，高击穿电压
垂直DMoS
通过增加排水接触面积进行进一步优化：
注：n+层比图中所示要厚得多。（制造过程始于一块厚厚的、高掺杂n+的晶片，然后在该晶片上沉积低掺杂n-漂移区。）
开启和关闭状态
饱和
在一定的漏源电压下，p型体区和n型漂移区之间的耗尽区合并（夹断）。此时，电流不再增加：饱和。
这样还可以保护栅极免受高电压的影响。
> 栅极氧化层可以很薄（对于垂直DMOS而言）
沟槽式 MOSFET
目前普遍采用沟槽式 MOSFET。
> 不再存在 JFET 效应（平面 MOSFET 中相邻 p 型体之间的夹断效应）
> 单位面积内可实现更高的沟道密度（沟道不再受硅表面限制，沟槽表面积可以更大）。
电容
MOSFET 是单极器件（除了体二极管）。开关速度主要取决于寄生电容的充放电。
有些取决于耗尽区宽度，即 VDS。
取决于操作点：
注意，对于负栅源电压，输入电容（尤其是 CGs）会进一步增加。这是因为如果 VGS 变为负值，则p 体中会发生积累。
