1. IGBT 模块主要由哪些部分组成？
回答：
主要组成部件包括IGBT芯片、二极管芯片、DBC（绝缘基板）、铝线、硅胶、电极和外壳。如下图所示：
2. SHYSEMI IGBT 类型？
回答：
根据电压极性，分为：600V、1200V、1700V。
根据电流极性，电流规格有：50A、75A、100A、150A、200A、300A、400A……
3. SHYSEMI L型、K型和U型模块之间有什么区别？
回答：
- L系列是低损耗快速系列，具有低导通压降，适用于20KHz以下的开关频率；
- K系列是标准系列，属于中档，适用于中频，针对15-25KHz开关频率进行了优化；
- U系列是超高速系列，开关损耗低，适用于20KHz以上的开关频率。
4. 我们应该在什么情况下使用 600V、1200V、1700V？
回答：
主要取决于母线电压。单相整流后母线电压约为300V，考虑到冗余性，一般选择600V系列；三相整流后母线电压约为540V，一般使用1200V系列；一些特殊用途，例如机车牵引，母线电压可能高达700V或更高，需要使用1700V系列。
5. SHYSEMI IGBT 设计领域？
回答：
6. 神华影组件的导通电压降是多少？
回答：
我们的 1200V 导通状态压降，L 系列约为 1.8V，K 系列约为 2.2V，U 系列约为 3.5V，相同电极的压降略有不同。
7. 什么是硬开关和软开关？答案请参考图1和图2：
图1显示了硬开关电压和电流波形。
图1：功率器件的硬开关过程
软件开关电压和电流波形如图2所示
图 2 功率器件软开关过程
如图 1 所示，硬开关电路的导通和关断过程中电流和电压波形存在叠加，导致损耗；如图 2 所示，软开关意味着在导通和关断过程中，电压和电流波形几乎不重叠，因此导通和关断时间的损耗降低到非常低的水平。
8. 如何计算IGBT的开关损耗和过载损耗？
回答：
开关损耗：Pswitch = (Eon + Eoff) - fswitch
通态损耗：Pcond = Vce - Ic - duty
9. 如图 3 所示，IGBT 在导通过程中的电流波形出现 Ir，这是什么原因？
回答：
IGBT 模块导通过程中出现尖峰 Ir 的原因是反向并联连续二极管中的反向恢复电流。
图 3 IGBT 传导
10. 如图 4 所示，IGBT 在关断过程中电压波形中出现 Ur 的原因是什么？
解决方案：
IGBT关断期间出现Ur的原因是存在杂散电感， V<sub>overshoot</sub> = L<sub>stray</sub> ， V<sub>ce</sub> = V<sub>overshoot</sub> + V<sub>DC</sub>-Link 。杂散电感是由电容器到IGBT模块的结构设计造成的。为最大限度地减少杂散电感，设计原则是使正负电流尽可能接近且平行。
图 4 IGBT 关闭
11. 栅极电阻RG对IGBT的开关性能有何影响？
回答：
栅极电阻RG会影响IGBT的开关速度、上升时间tr和下降时间tf。RG越大，开关损耗越大，但di/dt越小，从而降低VCE过电压。RG越小，开关损耗越小，但di/dt越大，VCE越大。选择RG时，应权衡开关损耗和VCE尖峰电压，使其同时达到合理值。