印度领先的功率半导体制造商神华盈半导体公开了其先进的IGBT模块生产工艺。该公司专注于IGBT模块、SiC元件和IPM（集成电源管理）的研发和生产。
生产流程始于芯片键合，即将纳米银浆精确涂覆到DBC陶瓷基板上。IGBT芯片采用超低热阻连接进行安装，空隙率低于3%。这确保了IGBT模块具有卓越的散热性能和长期可靠性。
接下来，采用铜超声波技术进行引线键合。神华盈半导体的自动化系统每秒可完成15个高强度键合，电流容量提升20%。该工艺对于保持SiC元件和IPM的一致性至关重要。质量控制包括5μm分辨率的X射线检测。该系统可检测焊点空洞和引线变形，从而确保IGBT模块无缺陷。每个单元都经过100%测试，包括激光尺寸检测和条形码追溯，以实现全生命周期管理。
最终验证包括在 1500V/100A 的条件下进行动态性能测试。神华盈半导体评估开关损耗和短路耐久性，所有数据均存储在基于云的可追溯系统中。这些 IGBT 模块和 SiC 组件满足全球汽车行业领导者的严格要求。
要了解有关 SHY Semi 的 IGBT 模块的更多信息，请访问https://www.shysemi.com/mid-high-power-f-series 。
关于申华盈半导体
神华盈半导体为汽车和工业应用开发高效IGBT模块、SiC元件和IPM，确保可靠性和性能。