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SYMTS40PI120T5H：1200V/40A，具有低开关损耗、低杂散电感和>10μs短路时间，适用于电力电子和电机驱动等
封装类型：Econo2
VCE(SAT)@typ.Tj=25°C: 1.9
VGEth@typ.Tj=25°C: 5.8
详情：工业级 1200V IGBT 模块，专为电力电子和电机驱动应用而设计，可在逆变器系统中提供低导通损耗、快速开关性能和增强的热稳定性。
VCE(SAT)@typ.Tj=25°C: 1.9
VGEth@typ.Tj=25°C: 5.8
详情：工业级 1200V IGBT 模块，专为电力电子和电机驱动应用而设计，可在逆变器系统中提供低导通损耗、快速开关性能和增强的热稳定性。
更多详情
应用领域：
- 工业逆变器
- 伺服应用
特性：
- 场截止型栅极IGBT
- 短路保护时间 >10μs
- 低饱和电压
- 低开关损耗
- 100% RBSOA测试（2×IC）
- 低杂散电感
- 无铅，符合RoHS要求
封装尺寸图 (Unit: mm):
