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SYSD120N015A:1200V 112A SiC MOSFET,超低导通电阻 RDS(on) 15mΩ,适用于太阳能/UPS/焊接/电动汽车充电等

SYSD120N015A:1200V 112A SiC MOSFET,超低导通电阻 RDS(on) 15mΩ,适用于太阳能/UPS/焊接/电动汽车充电等

封装:TO-247-4L
电压(V):1200
RDS(ON), TYP:15
详情:SYSD120N015A 是一款高电流 1200V SiC MOSFET,具有超低的 15mΩ 导通电阻。它具有快速开关和低恢复特性,是太阳能逆变器、UPS 和电动汽车充电系统的理想选择。
Specification
Specification
更多详情

应用领域:

  • 太阳能逆变器
  • 功率因数校正 (PFC)
  • 不间断电源 (UPS)
  • 直流-直流转换器
  • 焊接设备
  • 电动汽车充电

特性:

  • 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 15mΩ(典型值),脉冲电流:280A
  • 易于控制的栅极开关
  • 增强模式:Vth = 2 至 4 V
 

 

SYSD120N015A:1200V 112A SiC MOSFET,超低导通电阻 RDS(on) 15mΩ,适用于太阳能/UPS/焊接/电动汽车充电等

 

封装尺寸:

 

[SYSD120N015A]
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