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[SYSD120N040BH] 1200V 40mΩ SiC MOSFET，AEC-Q101，快速开关，适用于汽车电源转换器
封装：TO-247-3L
电压(V)：1200
导通电阻(RDS(ON))，典型值：60
详情：SYSD120N040BH 是一款车规级 1200V SiC MOSFET，具有超低的 40mΩ 导通电阻 (RDS(on))。它具有快速开关特性、符合 AEC-Q101 标准和耐高温性能，是电动汽车转换器和工业电源的理想选择。
电压(V)：1200
导通电阻(RDS(ON))，典型值：60
详情：SYSD120N040BH 是一款车规级 1200V SiC MOSFET，具有超低的 40mΩ 导通电阻 (RDS(on))。它具有快速开关特性、符合 AEC-Q101 标准和耐高温性能，是电动汽车转换器和工业电源的理想选择。
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应用：
- 非对称桥式转换器
- 逆变器
- 单开关正激反激式转换器
特性：
- 低漏源导通电阻：RDS(ON)=40mΩ（典型值）
- 易于控制的栅极开关
- 增强模式：Vth = 2 至 4V
- 符合 AEC-Q101 标准
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封装尺寸及电路图：
![[SYSD120N040BH] 1200V 40mΩ SiC MOSFET, AEC-Q101, fast switching, for automotive power converters](http://custom-images.strikinglycdn.com/res/hrscywv4p/image/upload/c_limit,fl_lossy,h_9000,w_1200,f_auto,q_auto/23234143/788564_289047.png)