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[SYSM3F02R12HPD] 1200V 400A SiC MOS 模块，2.55mΩ 超低导通电阻 (RDS(on))，低电感，适用于电动汽车电机
封装：HPD
电压(V): 1200
电流(A): 400/600/800
VGEth@typ.Tj=25°C: 3.0
详情：SYSM3F02R12HPD是一款高电流1200V SiC MOSFET模块，导通电阻为2.55mΩ。它具有低开关损耗和<10nH电感，是电动汽车/混合动力汽车电机驱动和大功率转换器的理想选择。
电压(V): 1200
电流(A): 400/600/800
VGEth@typ.Tj=25°C: 3.0
详情：SYSM3F02R12HPD是一款高电流1200V SiC MOSFET模块，导通电阻为2.55mΩ。它具有低开关损耗和<10nH电感，是电动汽车/混合动力汽车电机驱动和大功率转换器的理想选择。
更多详情
应用领域：
- 汽车应用
- 混合动力汽车 (HEV)
- 电机驱动
- 商用农业车辆
特性：
- VDSS=1200V
- IDnom=400A
- 新型半导体材料碳化硅，低导通电阻 (RDSon)
- 低开关损耗
- 低栅极电压 (Qg) 和短路电流 (Crss)
- 低电感设计 <10nH
- 工作温度 (Tvjop)=150°C
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封装尺寸：
![[SYSM3F02R12HPD]](http://custom-images.strikinglycdn.com/res/hrscywv4p/image/upload/c_limit,fl_lossy,h_9000,w_1200,f_auto,q_auto/23234143/634368_800548.png)