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精准功率:神华鹰半导体的MUR二极管制造工艺

精准功率:SHYSEMI 的 MUR 二极管制造工艺

神华影半导体发布了一部新的视频纪录片,展示了其MUR二极管产品的精密制造工艺。该视频揭示了确保超快恢复性能的四个关键生产阶段。

MUR二极管的制造始于芯片键合过程中的纳米级银烧结。神华盈半导体的工艺实现了所有批次产品空隙率低于0.5% 。X射线检测证实,每个塑料封装均符合汽车级标准。

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“超快恢复整流二极管生产的精度直接影响最终产品的可靠性,”神华盈半导体研发总监Ray Li表示,“我们的工艺控制水平高于高频应用领域的行业标准。”

神华鹰半导体发布的视频重点介绍了超快速恢复整流器的生产过程:

激光切割精度为±5μm

在模拟工作条件下进行100%电气测试

热循环验证(-55°C 至 +175°C)

采用自动光学扫描进行最终质量检验

神华鹰半导体的MUR二极管生产线目前一次合格率高达98.2%,月产能达300万只,涵盖所有电压等级。这些MUR二极管产品适用于以下高要求应用:

1MHz+开关电源

1500V太阳能微型逆变器设计

800V电动汽车充电架构

如有兴趣,请访问https://www.shysemi.com/frd-mur了解更多信息。

关于申华盈半导体

神华鹰半导体专注于高性能整流解决方案,包括用于电源转换系统的超快速恢复整流器技术。

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