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SYMT150HF120T1VH-SF：1200V/150A，沟槽型场截止IGBT模块，具有超低VCE(sat)，适用于工业逆变器、焊接机、UPS、SMPS、感应加热和大功率转换应用
封装类型：34mm
VCE(SAT)@typ.Tj=25°C: 5.7
VGEth@typ.Tj=25°C: 1.7
详情：现场停止沟槽栅极IGBT模块具有低导通损耗、快速开关性能、低杂散电感和高短路耐受能力，针对工业逆变器、焊接机、UPS、SMPS、感应加热和大功率转换应用进行了优化。
VCE(SAT)@typ.Tj=25°C: 5.7
VGEth@typ.Tj=25°C: 1.7
详情：现场停止沟槽栅极IGBT模块具有低导通损耗、快速开关性能、低杂散电感和高短路耐受能力，针对工业逆变器、焊接机、UPS、SMPS、感应加热和大功率转换应用进行了优化。
更多详情
应用领域：
- 焊接机、切割机
- 电镀电源、感应加热
- 开关电源 (SMPS)、不间断电源 (UPS)
特性：
- 短路保护时间 >10μs
- 非穿通 (NPT) 技术
- 低饱和电压
- 低开关损耗
- 100% RBSOA 测试 (2×IC)
- 低杂散电感
- 无铅，符合 RoHS 要求
封装尺寸图 (Unit: mm) ：
![[SYMT150HF120T1VH-SF] 1200V/150A,](http://custom-images.strikinglycdn.com/res/hrscywv4p/image/upload/c_limit,fl_lossy,h_9000,w_1200,f_auto,q_auto/23234143/377079_332943.png)