我们为您的产品设计和制造半导体芯片、分立功率器件和功率模块。
我们为您的产品设计和制造半导体芯片、分立功率器件和功率模块。
更少的能源
更高的效率
  • 主页
  • 产品 
    • IPM模块
    • IGBT模块
    • IGBT单管
    • IGBT芯片
    • 碳化硅(SiC)
    • 快恢复二极管
    • 整流桥
  • 应用 
    • 能源汽车
    • 家用电器
    • 可再生能源
    • 工业设备
    • 数据中心
  • 技术 
    • IPM模块优势
    • 芯片技术
    • 可靠性认证
  • 关于我们 
    • 关于深华颖
    • 技术团队
    • 客户定制
  • 联系我们
  • 博客
  • …  
    • 主页
    • 产品 
      • IPM模块
      • IGBT模块
      • IGBT单管
      • IGBT芯片
      • 碳化硅(SiC)
      • 快恢复二极管
      • 整流桥
    • 应用 
      • 能源汽车
      • 家用电器
      • 可再生能源
      • 工业设备
      • 数据中心
    • 技术 
      • IPM模块优势
      • 芯片技术
      • 可靠性认证
    • 关于我们 
      • 关于深华颖
      • 技术团队
      • 客户定制
    • 联系我们
    • 博客
免费样品
我们为您的产品设计和制造半导体芯片、分立功率器件和功率模块。
我们为您的产品设计和制造半导体芯片、分立功率器件和功率模块。
更少的能源
更高的效率
  • 主页
  • 产品 
    • IPM模块
    • IGBT模块
    • IGBT单管
    • IGBT芯片
    • 碳化硅(SiC)
    • 快恢复二极管
    • 整流桥
  • 应用 
    • 能源汽车
    • 家用电器
    • 可再生能源
    • 工业设备
    • 数据中心
  • 技术 
    • IPM模块优势
    • 芯片技术
    • 可靠性认证
  • 关于我们 
    • 关于深华颖
    • 技术团队
    • 客户定制
  • 联系我们
  • 博客
  • …  
    • 主页
    • 产品 
      • IPM模块
      • IGBT模块
      • IGBT单管
      • IGBT芯片
      • 碳化硅(SiC)
      • 快恢复二极管
      • 整流桥
    • 应用 
      • 能源汽车
      • 家用电器
      • 可再生能源
      • 工业设备
      • 数据中心
    • 技术 
      • IPM模块优势
      • 芯片技术
      • 可靠性认证
    • 关于我们 
      • 关于深华颖
      • 技术团队
      • 客户定制
    • 联系我们
    • 博客
免费样品
我们为您的产品设计和制造半导体芯片、分立功率器件和功率模块。

TPAK 封装 IGBT/TPAK SiC 模块在新能源电机控制器上的应用

自特斯拉第三代电驱系统规模化搭载 TPAK SiC 模块并实现整车能效、功率密度双重突破后,国内功率半导体封测企业、整车厂与电驱动方案商均加速布局 TPAK 单开关功率封装路线。本文结合深华颖半导体自研 TPAK SiC 模块产品,系统解析该封装架构在车用逆变器的核心技术优势与落地适配方案。下文以深华颖半导体面向车载 OBC、主电控开发的 TPAK 封装 SiC 模块为核心样本展开分析。

深华颖半导体应用在OBC上的TPAK封装的sic 模块实拍图

深华颖半导体应用在OBC上的TPAK封装的sic 模块实拍图

一、TPAK 封装拓扑架构对比TO-247封装有何优势

TPAK 属于单开关模块(Single Switch Module),架构定位介于分立功率单管与标准多芯片功率模块之间,完美规避传统 TO-247 分立器件寄生电感大、持续输出电流受限、多管并联均流差等痛点,同时保留模块化并联拓展能力。厂商可根据逆变器额定功率、峰值输出需求,自由配置 TPAK SiC 模块 / TPAK IGBT 模块并联数量,平台化适配 75kW~300kW 全系乘用车、商用车电控。

OBC主流功率封装杂散电感、电气参数对比

表 1 主流功率封装杂散电感、电气参数对比

从封装杂感仿真数据可见,TPAK 封装杂散电感远低于 TO-247 分立封装,持续载流能力显著提升。更低的寄生电感可允许系统选用更低关断电阻的 TPAK SiC 芯片,大幅抑制开关关断尖峰,降低开关损耗与芯片温升,拓宽模块持续输出电流区间。

热仿真工况:直流母线 DCLINK 410V,输出有效值电流 260Arms;采用深华颖半导体 TPAK 单管单排 SiC 芯片方案,稳态芯片结温约 132℃,远低于车规器件 150℃最高工作结温阈值,具备优异持续载流与水冷散热性能。

TPAK 单管单排方案载流能力热仿真结果

图 1 TPAK 单管单排方案载流能力热仿真结果

二、深华颖TPAK 封装芯片布局实现SiC降本与 IGBT 通用化设计

TPAK 封装内部芯片排布具备极强柔性:内部既可排布 2 并联 SiC MOSFET 裸片,也可单颗集成 300A/400A 硅基 IGBT 晶圆。 针对 SiC 器件原材料成本偏高的行业痛点,深华颖半导体 TPAK SiC 模块通过模块化拆分方案,在同等逆变器输出功率前提下,减少单台设备 SiC 芯片用量,有效控制系统硬件成本;同时封装硬件尺寸、端子定义完全兼容硅基 TPAK IGBT,一套电控硬件可切换 SiC/IGBT 两种功率器件,产品平台复用性强。

TPAK 封装 IGBT/SiC 内部芯片布局结构图

图 2 TPAK 封装 IGBT/SiC 内部芯片布局结构图

三、TPAK 封装结构与封装材料实现车规高可靠性

  1. 无论是特斯拉量产电控,还是国内主机厂在研 400V/800V 逆变器方案,TPAK 封装相较传统标准全桥模块,均具备三大结构优势:
  2. 整机功率密度更高
  3. 整机结构高度紧凑
  4. 壳体抗机械振动性能优异,完美适配车载前舱狭小布置空间与整车颠簸工况

性能核心来源于封装材料与互连工艺升级:TPAK 统一采用 AMB 活性金属陶瓷基板搭配 Cu-Clip 铜夹片互连,彻底淘汰传统铝丝键合工艺,实现寄生参数大幅降低、模块热阻优化、电流承载密度提升。

OBC TPAK封装 内部 AMB 陶瓷基板 + Cu-Clip 铜夹片结构示意图

图 3 TPAK 内部 AMB 陶瓷基板 + Cu-Clip 铜夹片结构示意图

深华颖半导体已实现车规级 TPAK 封装产品量产,代表规格为 1200V、230A TPAK SiC 模块,器件最大导通电阻 RDS (on),max=12mΩ;该 TPAK SiC 系列产品覆盖新能源车主驱逆变器、车载高压 OBC 大功率充电系统两大核心车载场景,并与大众汽车,北京汽车,广汽等知名车企达成长期合作。

四、TPAK 封装的激光焊工艺,降低接触阻抗电阻与杂散电感

为进一步削弱功率回路接触电阻与杂散电感,TPAK 封装功率输出端子全部采用高导电铜基材,并采用铜 - 铜激光焊接互连工艺。 该工艺早已成熟应用于动力电池极柱焊接,铜材同质焊接界面结合强度高、导电导热性能稳定,热循环、振动老化后不易出现界面氧化、阻抗漂移,现已成为车载功率模块主流互连技术路线。

特斯拉电驱系统 TPAK 模块铜端子激光焊接实物示意图

图 5 特斯拉电驱系统 TPAK 模块铜端子激光焊接实物示意图

五、三相全桥电控兼容单电控与双电控集成系统

面向电机控制器三相全桥拓扑,TPAK 模块主流分为单管单排、多管双排并联两类方案:

  • 单管单排方案:多用于中小功率逆变器,直接对标替换传统 HP1 300A/400A 标准功率模块;结构简洁、器件焊接与整机装配工艺简化,综合物料与制造成本低于 HP1 模块。
EV新能源电车 TPAK封装 模块单 / 多管并联结构布局图

图 6 TPAK 模块单 / 多管并联结构布局图

  • 多管双排并联方案:面向大功率 800V 高压平台,封装硬件最多支持 4 颗 TPAK SiC/IGBT 模块并联拓展;并联数量可根据整车峰值功率灵活调整,驱动板、主控控制电路无需重新改版,大幅缩短客户产品开发周期、降低软硬件改造成本。
 TPAK SiC 模块的双电控集成水冷布局方案

图 7 基于 TPAK SiC 模块的双电控集成水冷布局方案

同时 TPAK 封装体积小巧、功率密度突出,为行业主流双电控集成方案提供充足结构空间:水冷散热水道双侧可分别布置多管并联 TPAK 模块,实现双电机驱动一体化集成,缩减电控总成体积与整车线束长度。

总结

综合全文分析,TPAK 单开关封装凭借低杂散电感、灵活并联拓展、高功率密度、高车规可靠性四大核心优势,已成为新能源电驱主流功率器件方案。

深华颖半导体量产高可靠性的 TPAK SiC 模块可为新能源主机厂、电驱动研发、封测企业提供完整 TPAK SiC 模块落地参考方案,是新一代轻量化电控的优选中国功率模块制造商。

邮箱

更多信息可拨打电话:0755-23731480,或发送邮箱获取报价及规格书:info@shysemi.com

行业配套 FQA(TPAK SiC 模块车载应用问答)

Q1:TPAK 封装采用 AMB 基板 + Cu-Clip 工艺,相比铝键合模块可靠性提升在哪?

A1:铝丝键合在车规 - 40℃~150℃冷热循环下易出现引线疲劳断裂、界面阻抗抬升;Cu-Clip 铜夹片大面积接触芯片,热阻更低、电流均流更好,搭配 AMB 陶瓷基板抗热冲击能力更强,功率循环寿命提升一倍,完美匹配 TPAK SiC 高温工作特性。

Q2:410V 母线工况下,深华颖 230A TPAK SiC 模块能否长期 260Arms 持续运行?

A2:热仿真显示该工况下单排方案芯片稳态结温约 132℃,低于车规 150℃极限结温;搭配水冷散热系统可长期稳定输出 260Arms 有效值电流,短时峰值电流冗余充足,适配主流 400V 乘用车电驱。

Q3:TPAK SiC 模块除主电机控制器外,还有哪些车载应用场景?

A3:深华颖 TPAK SiC 系列可同步适配车载高压 OBC 充电机、DC-DC 升压模块、商用车辅驱逆变器;1200V 耐压规格也适配 800V 高压快充平台,实现一车多器件平台通用。

订阅
上一篇
IPM智能功率模块和分立式IGBT:哪种更适合电机驱动?
下一篇
 回到网站
头像
取消
Cookie的使用
我们使用cookie来改善浏览体验、保证安全性和数据收集。一旦点击接受,就表示你接受这些用于广告和分析的cookie。你可以随时更改你的cookie设置。 了解更多
全部接受
设置
全部拒绝
Cookie设置
这些cookies支持诸如安全性、网络管理和可访问性等核心功能。这些cookies无法关闭。
这些cookies帮助我们更好地了解访问者与我们网站的互动情况,并帮助我们发现错误。
这些cookies允许网站记住你的选择,以提供更好的功能和个性化支持。
保存