深华颖半导体的伺服驱动解决方案在效率、功率密度和可靠性方面具有显著优势。通过采用先进的碳化硅 (SiC) 技术，我们的驱动器相比传统的硅基解决方案，可实现更高的开关频率和更低的能量损耗。这使得系统设计更加紧凑，散热性能更佳，使用寿命更长，从而成为高要求自动化、电机控制和高性能工业应用的理想之选。
伺服驱动
- 快速切换
- 低传导损耗
- 效率>98%
- 延长寿命
行业领先企业提供的型号替换清单
深华颖在伺服驱动领域拥有成熟的技术，提供全系列的 IPM 套件，几乎每种型号都有知名公司提供的同类产品可供选择。
IPM Selection Table 序列 深华颖产品型号 封装 竞争对手产品 1 SYIM756C-SFT SIP-35 ON*** mpower-1502
Functional replacement: 6-unit power module + PFC circuit2 SYIM756C-SST SIP-35 3 SYIM756C-SAAT SIP-35 4 SYIM776C-SST SIP-35 5 SYIM776C-SAAT SIP-35 6 SYIM50D65 DIP29 Mitsubishi- mini 7 SYIM656-DG DIP-26 Fa***ild FNA41560
Mit****shi PSS15S92F6-AG
F*j* 6MBP15RH060
SanK** SCM1242MF
Functional replacement: 6-unit power module8 SYIM656-DGT DIP-26 9 SYIM676-DG DIP-26 10 SYIM676-DGT DIP-26 11 SYIM15S60 SDIP-26 Mitsubishi- SLIM-L 12 SYIM10G60BTE DIP-25 ON Semiconductor- SPM8 13 SYIM10G60BTB DIP-24H Mitsubishi- super mini 14 SYIM15G60BTB DIP-24H 15 SYIM20G60BTB DIP-24H 16 SYIM30G60B DIP-24H 17 SYIM15D60 DIP-24H 18 SYIM06S60 SDIP-25FP ON Semiconductor- SPM8 19 SYIM25G60B SDIP-25FP 框图
深华颖的 IPM 通过 HVIC 实现。它集成了过流保护、温度保护、欠压保护、输入互锁和软关断等功能，并且每个功能的数据都具有一致性。
优势
深华颖 1200–1700 V IGBT 模块具有快速开关和低导通损耗，在变频驱动器中可实现 >98% 的效率和延长的使用寿命。
- 低损耗IGBT+FRD组合
- 适用于5-20kHz逆变器控制
- 降低冲击电流
- 内置过流/过温/欠压保护
- 集成三相全桥逆变器和PFC（功率因数校正）功能。
推荐产品： IPM
如需了解更多信息或获取产品报价，请发送邮件给我们。
我们会尽快与您联系。
我们尊重客户的隐私，并确保所有客户数据的安全。